Вышедшие номера
Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем
Кудрин А.В.1, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла обнаружены и исследованы в структуре GaAs с одиночным дельта-легированным слоем марганца (содержание марганца 0.18 ML) при температурах ниже ~ 20 K. Структуры были изготовлены комбинированным методом MОС-гидридной эпитаксии и лазерного нанесения. Характер магнитополевой зависимости холловского сопротивления указывает на наличие кубической плоскостной магнитной анизотропии.
  1. Nazmul A.M., Sugahara S., Tanaka M. // J. Crystal Growth. 2003. V. 251. P. 303--310
  2. Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 14. С. 8--17
  3. Wang К.Y., Edmonds K.W., Campion R.P., Zhao L.X., Foxon C.T., Gallagher B.L. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 085201-1-7
  4. Coren R.L., Juretschke H.J. // Phys. Rev. 1962. V. 126. N 4. P. 1378--1385
  5. Tang Н.Х., Kawakami R.K., Awschalom D.D., Roukes M.L. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 90. N 10. P. 107201-1-4
  6. Nazmul A.M., Lin Н.Т., Tran S.N., Ohya S., Tanaka M. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 155203-1-8

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.