Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическое поглощение и фотопроводимость гамма-облученных кристаллов селенида цинка
1Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан 
Email: ibragimova@inp.uz
Поступила в редакцию: 25 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
Исследована возможность радиационного усиления фотопроводимости sigmaph кристаллического ZnSe. По оптической плотности кристалла ZnSe : O на уровне Eg=2.58 eV определена концентрация электронов NEg=1.26· 1016 cm-3. Облучение 60Co гамма-квантами 106 Gy в ZnSe : O привело к созданию пяти резонансных уровней: Gamma6v - 5.76 eV, L1.3v - 4.85 eV, Zni - 3.34 eV, OSe - 3.13 eV и X - 2.72 eV, снижению NEg=0.63· 1016 cm-3 и 2-кратному росту sigmaph. Примесь Te до 0.2 wt. % тоже создает уровень L1,3v и увеличивает NEg=2.02· 1016 cm-3 и sigmaph=2.01· 10-10 Omega-1. Облучение тоже привело к формированию в допированных кристаллах дополнительного резонансного уровня Zni - 3.34 eV и к 2-кратному росту sigmaph. При содержании Te до 0.5 wt. % также формируется Zni, но с большей энергией 3.39 eV, что обусловливает рост sigmaph=7.6· 10-9 Omega-1. Однако после облучения этот центр разрушается и фотопроводимость снижается.
- Горкавенко Т.В., Зубкова С.М., Макара В.А., Русина Л.Н. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 8. С. 908-916
- Клевков Ю.В., Колосов С.А., Кривобок В.С., Мартовицкий В.П., Николаев С.Н. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 11. С. 1291--1296
- Атрощенко Л.В., Бурачас С.Ф., Гальчинецкий Л.П., Гринев Б.В., Рыжиков В.Д., Старжинский Н.Г. Кристаллы сцинтилляторов и детекторов ионизирующих излучений на их основе. Киев: Наук. думка, 1998. Гл. 3. С. 166
- Эльмуротова Д.Б., Ибрагимов Э.М., Каланов М.У., Турсунов Н.А. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 3. С. 429--436
- Будылин Б.В., Воробьев А.А. Действие излучений на ионные структуры. М., 1962. Гл. 2. С. 38
- Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 4. С. 401--404
- Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 7. С. 815--818
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
