Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 1 » Статья стр. 27
<<<>>>
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
Терещенко О.Е.1,2,3,4,5, Паулиш А.Г.1,2,3,4,5, Неклюдова М.А.1,2,3,4,5, Шамирзаев Т.С.1,2,3,4,5, Ярошевич А.С.1,2,3,4,5, Просвирин И.П.1,2,3,4,5, Жаксылыкова И.Э.1,2,3,4,5, Дмитриев Д.В.1,2,3,4,5, Торопов А.И.1,2,3,4,5, Варнаков С.Н.1,2,3,4,5, Рауцкий М.В.1,2,3,4,5, Волков Н.В.1,2,3,4,5, Овчинников С.Г.1,2,3,4,5, Латышев А.В.1,2,3,4,5
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
4Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
5Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Email: teresh@thermo.isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.
PDF версия
Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
  1. vZutic I., Fabian J., das Sarma S. // Rev. Modern Physics. 2004. V. 76. P. 323
  2. Wastlbauer G., Bland J.A.C. // Advances in Physics. 2005. V. 54. P. 137
  3. Rougemaille N., Lamine D., Lampel G., Lassailly Y., Peretti L. // Phys. Rev. 2008. V. B 77. P. 094409
  4. Tereshchenko O.E., Lamine D., Lampel G., Lassailly Y., Li X., Paget D., Peretti J. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 113708
  5. Tereshchenko O.E., Shamirzaev T.S., Gilinsky A.M., Toropov A.I., Dmitriev D.V., Lamine D., Paget D., Lassailly Y., Peretti J. // Proceedings of the 17 Int. Symp. "Nanostructures: Physics and technology". Minsk, Belarus. 2009, June 22--26. P. 332
  6. Tereshchenko O.E., Chikichev S.I., Terekhov A.S. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. A 17. P. 2655
  7. Терещенко О.Е., Паулиш А.Г., Шамирзаев Т.С., Гилинский А.М., Неклюдова М.Н., Дмитриев Д.Д., Торопов А.И., Lampel G., Lassailly Y., Paget D., Peretti J. // Труды XV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 2011, 14--18 марта С. 153
  8. Waldrop J.R., Grant R.W. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. P. 630
  9. Massies J., Delescluse P., Linh N.T. // Collected Papers of 2nd International Symposium on Molecular Beam Epitaxy and Related Clean Surface Techniques. Tokyo, 1982, 27--30 August. P. 287
  10. Brun M., Berthet A., Bertolini J.C. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1999. V. 104. P. 55
  11. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. // Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy / Ed. by J. Chastain. Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, 1992
  12. Felissimo M.P., Martyanov O.N., Risse T., Freund H.-J. // Surface Science. 2007. V. 601. P. 2105
  13. Beutier G., van der Laan G., Chesnel K., Marty A., Belakhovsky M., Collins S.P., Dudzik E., Toussaint J.-C., Gilles B. // Phys. Rev. 2005. V. B 71. P. 184436

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme