Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 5 » Статья стр. 41
<<<>>>
Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли
Сибирёв Н.В.1,2,3,4, Назаренко М.В.1,2,3,4, Дубровский В.Г.1,2,3,4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: NickSibirev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование нового, смачивающего режима роста нитевидных нанокристаллов (ННК) по механизму "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК), в котором капля катализатора обволакивает вершину ННК. Такой режим может осуществляться при достаточно низких поверхностных энергиях капли, например при автокаталитическом росте GaAs ННК из Ga капель. Исходя из условия механического баланса поверхностных сил, а также на основе минимизации функционала поверхностной энергии определена форма капли в смачивающей конфигурации. Показано, что капля имеет форму сферического сегмента на вершине, сшитого с ондулоидом, окружающим боковую поверхность ННК. Обсуждается влияние конфигурации капли на кристаллическую структуру автокаталитических GaAs ННК. Показано, что несмачивающий режим характерен для малых, а смачивающий - для больших начальных объемов капли.
  1. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. С. 1585
  2. Гиваргизов Е.И. // Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977
  3. Hiruma К., Yazawa M. et al. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 1362
  4. Bjork M.T., Ohlsson B.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P. 1158
  5. Сошников И.П., Цырлин Г.Э. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 2121
  6. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. et al. // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. P. 205305
  7. Glas F., Harmand J.C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 146101
  8. Сибирёв Н.В., Тимофеева М.А. и др. // ФТТ. 2010. Т. 52. С. 1428
  9. Дубровский В.Г., Сибирёв Н.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 8. С. 73
  10. Дубровский В.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 2. С. 1
  11. Dubrovskii V.G., Cirlin G.E. et al. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 1247
  12. Cirlin G.E., Dubrovskii V.G. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. P. 035302
  13. Jasper J.J. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1972. V. I (4). P. 841
  14. Fontcuberta i Morral A., Colombo C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 063112
  15. Cirlin G.E., Dubrovskii V.G. et al. // Phys. Stat. Sol. RRL. 2009. V. 3. P. 112
  16. Mandl B., Stangl J. et al. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 4443
  17. Небольсин В.А., Щетинин А.А. // Неорганические материалы. 2003. Т. 39. С. 1050
  18. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. // Статистическая физика. Часть 1. М.: Физматлит, 2002
  19. Hadzhilazova M., Mladenov I.M. et al. // Arch. Math. (BRNO). 2007. Т. 43. P. 417
  20. Сибирёв Н.В., Назаренко М.В. и др. // ФТП. 2010. T. 44. C. 114

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme