Вышедшие номера
Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 mum
Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bmat@iropt3.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 5 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Представлен анализ параметров фотодиодов на основе градиентных твердых растворов InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 mum с различной геометрией непрозрачного контакта на освещаемой поверхности p-InAsSb(P). Показано, что чувствительность (эффективность сбора фототока) напрямую зависит от периметра этого контакта; в фотодиодах с развитой структурой контакта, т. е. с увеличенными периметром и площадью, реализуется повышенная пороговая чувствительность даже при имеющем место увеличении степени затенения (экранирования) освещаемой поверхности непрозрачным контактом.
  1. Каталог фирмы "МЕТА", http:// meta-ru.ru/about.html
  2. Каталог фирмы "Тритон Электроникс", http://www.triton.ru/ index.php?page=7
  3. Rodriguez J., Plis E., Bishop G., Sharma Y., Kim H., Dawson L., Krishna S. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 043514
  4. Lindle J.R., Bewley W.W., Vurgaftman I., Kim C.S., Meyer J.R. // IEEE J. Quantum Electronics. 2005. V. 41. P. 227--233
  5. Matveev B.A., Zotova N.V., Karandashev S.A., Remennyi M.A., Stus' N.M., Talalakin G.N. // IEE Proceedings-Optoelectronics. 2002. V. 149. Issue 1. P. 33--35
  6. Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Мжельский И.В., Половинкин В.Г., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М. // ФТП. 2012. Т. 46. P. 259--261
  7. Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 554--559
  8. Malyutenko V.K., Zinovchuk A.V., Malyutenko O.Yu. // Semicond. Sci. Technol. 2008. V. 23. P. 085004 (3p.) doi: 10.1088/0268--1242/23/8/085004

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.