Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 6 » Статья стр. 22
<<<>>>
Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
Лундин В.В.1, Заварин Е.Е.1, Рожавская М.М.1, Николаев А.Е.1, Сахаров А.В.1, Трошков С.И.1, Синицын М.А.1, Давыдов Д.В.1, Кулагина М.М.1, Брунков П.Н.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
PDF версия
Проведено формирование эпитаксиальных структур GaN методом латерального эпитаксиального разращивания, при котором GaN выращивается в полосковых окнах на частично маскированном исходном слое GaN. Установлено, что, помимо традиционной ориентации полосков поперек оси с GaN, данный процесс возможен при ориентации полосков под углом 45o к оси c. В этом случае возможно проведение двух процессов латерального разращивания во взаимно перпендикулярных направлениях, что существенно снижает относительную площадь несовершенного материала, формирующегося над окнами в маске.
  1. Paskova T. // Phys. Stat. Sol. (b). 2008. V. 245 (6). P. 1011--1025
  2. Okamoto K., Kashiwagi J., Tanaka T., Kubota M. // Appl. Phys. 2009. V. 94. P. 071105
  3. Ueno M., Yoshizumi Y., Enya Y., Kyono T., Adachi M., Takagi Sh., Tokuyama Sh., Sumitomo T., Sumiyoshi K., Saga N., Ikegami T., Katayama K., Nakamura T. // J. Crystal Growth. 2011. V. 315 (1). P. 258--262
  4. Hiramatsu K. // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V. 13. P. 6961--6975
  5. Mukai T., Takekawa K., Nakamura S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. L839--841
  6. Chen Ch., Yang J., Wang H., Zhang J., Adivarhan V., Gaevski M., Kuokstis E., Gong Zh., Su M., Asif Khan M. // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. V. 42. P. L640--L642
  7. Lundin W.V., Zavarin E.E., Nikolaev A.E., Sinitsyn M.A., Sakharov A.V., Sizov D.S., Talalaev R.A., Lobanova A.V., Tsatsulnikov A.F. // 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Bratislava, Slovakia, 3--6 June 2007. Booklet of Extended abstracts. P. 57--60
  8. Заварин Е.Е., Лундин В.В., Синицын М.А., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Сизов Д.С., Кулагин М.М., Цацульников А.Ф. // Тез. докл. 5-й Всерос. конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". 31 января--2 февраля 2007 г. Москва. С. 22
  9. Yakovlev E.V., Talalaev R.A., Kondratyev A.V., Segal A.S., Lobanova A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Tsasulnikov A.F., Nikolaev A.E. // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. P. 4862--4866
  10. Benyoucef M., Kuball M., Beaumont B., Bousquet V. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81 (13). P. 2370
  11. Craven M.D., Lim S.H., Wu F., Speck J.S., DenBaars S.P. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81 (7). P. 1201

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme