Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
Лундин В.В.1, Заварин Е.Е.1, Рожавская М.М.1, Николаев А.Е.1, Сахаров А.В.1, Трошков С.И.1, Синицын М.А.1, Давыдов Д.В.1, Кулагина М.М.1, Брунков П.Н.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
Проведено формирование эпитаксиальных структур GaN методом латерального эпитаксиального разращивания, при котором GaN выращивается в полосковых окнах на частично маскированном исходном слое GaN. Установлено, что, помимо традиционной ориентации полосков поперек оси с GaN, данный процесс возможен при ориентации полосков под углом 45o к оси c. В этом случае возможно проведение двух процессов латерального разращивания во взаимно перпендикулярных направлениях, что существенно снижает относительную площадь несовершенного материала, формирующегося над окнами в маске.
- Paskova T. // Phys. Stat. Sol. (b). 2008. V. 245 (6). P. 1011--1025
- Okamoto K., Kashiwagi J., Tanaka T., Kubota M. // Appl. Phys. 2009. V. 94. P. 071105
- Ueno M., Yoshizumi Y., Enya Y., Kyono T., Adachi M., Takagi Sh., Tokuyama Sh., Sumitomo T., Sumiyoshi K., Saga N., Ikegami T., Katayama K., Nakamura T. // J. Crystal Growth. 2011. V. 315 (1). P. 258--262
- Hiramatsu K. // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V. 13. P. 6961--6975
- Mukai T., Takekawa K., Nakamura S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. L839--841
- Chen Ch., Yang J., Wang H., Zhang J., Adivarhan V., Gaevski M., Kuokstis E., Gong Zh., Su M., Asif Khan M. // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. V. 42. P. L640--L642
- Lundin W.V., Zavarin E.E., Nikolaev A.E., Sinitsyn M.A., Sakharov A.V., Sizov D.S., Talalaev R.A., Lobanova A.V., Tsatsulnikov A.F. // 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Bratislava, Slovakia, 3--6 June 2007. Booklet of Extended abstracts. P. 57--60
- Заварин Е.Е., Лундин В.В., Синицын М.А., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Сизов Д.С., Кулагин М.М., Цацульников А.Ф. // Тез. докл. 5-й Всерос. конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". 31 января--2 февраля 2007 г. Москва. С. 22
- Yakovlev E.V., Talalaev R.A., Kondratyev A.V., Segal A.S., Lobanova A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Tsasulnikov A.F., Nikolaev A.E. // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. P. 4862--4866
- Benyoucef M., Kuball M., Beaumont B., Bousquet V. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81 (13). P. 2370
- Craven M.D., Lim S.H., Wu F., Speck J.S., DenBaars S.P. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81 (7). P. 1201
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
