"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Переходные характеристики реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне
Горбатюк А.В.1, Иванов Б.В.1, Панайотти И.Е.1, Серков Ф.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Email: agor.pulse@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Выполнено численное моделирование переходных инжекционных процессов в реверсивно-включаемых динисторах (РВД) при работе в субмикросекундном диапазоне и рассчитаны их выходные характеристики тока и напряжения. Показано, что при надлежащем выборе параметров кремниевой структуры и внешних цепей на основе РВД можно коммутировать рабочие импульсы тока амплитудой в единицы и десятки kA/cm2 при полной длительности в сотни наносекунд и фронтах нарастания от 50 до 100 ns. При этом напряжение уже через 15-20 ns снижается относительно начальной величины на порядок, а за время фронта оно приближается к установившемуся значению 10-25 V.
  • Горбатюк А.В., Грехов И.В., Коротков С.В. и др. // А.с. CCCР N 1003699 от 09.11.1982. Бюл. изобр. 1983. N 39. С. 259; ЖТФ. 1982. Т. 52. В. 7. С. 1369--1374; Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. В. 11. С. 685--688
  • Тучкевич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, Ленингр. отд-е, 1988. 117 с
  • Savage M.E. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2000. V. 28 (5). P. 1451; Schneider S., Podlesak T.F. // IEEE Trans. Plsma Sci. 2000. V. 28 (5). P. 1520
  • Коротков С.В. Мощные устройства импульсной энергетики на основе реверсивно включаемых динисторов (РВД). Автореф. дис. ... д-ра техн. наук / ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. СПб., 2003. 34 с
  • Коротков С.В., Аристов Ю., Воронков В.Б. и др. // ПТЭ. 2010. N 1. С. 172--173
  • Горбатюк А.В., Грехов И.В., Костина Л.С. и др. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 20. С. 1217--1221
  • Коротков С.В., Жмодиков А.Л. // ПТЭ. 2011. N 1. С. 68--71
  • Synopsys Dev. Simulation, TCAD Sentaurus, manual // http:www.synopsis.com
  • Gorbatyuk A.V., Grekhov I.V., Nalivkin A.V. // Solid-State Electronics. 1988. V. 31. N 10. P. 1483--1491
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.