Приводятся результаты экспериментов по гомоэпитаксии нитрида галлия на подложки с наноструктурированным объемом. Впервые сообщается о механизме, позволяющем исключить дислокации подложки из числа источников прорастающих дислокаций в наращиваемых на ней гомоэпитаксиальных слоях.
Mynbaeva M., Saddow S.E., Melnychuk G., Nikitina I., Scheglov M., Sitnikova A., Kuznetsov N., Mynbaev K., Dmitriev V. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. N 1. P. 117
Argunova T.S., Gutkin M.Yu., Je J.H., Sorokin L.M., Mosina G.N., Savkina N.S., Shuman V.B., Lebedev A.A. // Mater. Sci. Forum. 2004. V. 457--460. P. 363
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth // Springer Series in Materials Science. 2010. V. 133. 334 p
Mynbaeva M., Mynbaev K., Tsvetkov D. // Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications. Ch. 7 / Ed. by R.M. Feenstra and C.E.C. Wood. London: John Wiley and Sons, 2008. P. 171
Melnik Yu.V., Nikolaev A.E., Stepanov S., Nikitina I.P., Vassilevski K., Ankudinov A., Musikhin Yu., Dmitriev V.A. // Mater. Sci. Forum. 1998. V. 264--268. P. 1121
Черемской П.Г., Слезов В.В., Бетехтин В.И. Поры в твердом теле. М.: Энергоатомиздат, 1990. 376 с
Sun X.L., Goss S.H., Brillson L.J., Look D.C., Molnar R.J. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 6729
Hawkridge M.E., Chernsa D. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. Art. 221903
Gutkin M.Yu., Sheinerman A.G., Smirnov M.A. // Mech. Mater. 2009. V. 41. P. 905
Bliss D.F., Wang B., Mann M. // 2011 Conference on Lasers and Electro-Optic (CLEO). Washington, DC, USA, Optical Society of America, 2011, AWA. 4
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.