Предложена методика переноса пленок диоксида ванадия с одной подложки на другую. Такая методика позволила выявить существенное влияние упругих напряжений, возникающих при синтезе пленок и в результате структурного фазового перехода, на температурное положение и форму петли гистерезиса отражательной способности.
Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с
Danilov O.B., Belousov V.P., Belousova I.M. // Proc. SPIE. 1998. V. 3263. P. 124
Данилов О.Б., Климов В.А., Михеева О.П., Сидоров А.И., Тульский С.А., Шадрин Е.Б., Ячнев И.Л. // ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 1. С. 79
Cavalleri A., Toth Cs., Siders G.W., Squier J.A. // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. N 23. P. 237 401
Wu J., Gu Q., Guiton B.S., de Leon N.P., Quyang L., Park H. // Nano Lett. 2006. V. 6. P. 2313
Wei J., Wang Z., Chen W., Cobden D.H. // Nature Nanotechnology. 2009. V. 4. P. 420
Алиев Р.А., Климов В.А. // ФТТ. 2004. Т. 46. С. 515
Арсланов В.В. // Успехи химии. 2000. Т. 69. В. 16. С. 963--980
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.