Проведено исследование условий формирования пучка убегающих электронов в гелии при давлении от 0.1 до 760 Torr при подаче импульсного (~ 4 ns) высокого (~ 200 kV) напряжения на промежуток. Теоретически и экспериментально показано, что генерация электронов пучка имеет место не только при больших значениях напряженности электрического поля, когда доля убегающих электронов велика, но и при малых полях, когда имеет место интенсивное размножение электронов. Причем при малых полях возможно получение большого тока, хотя доля убегающих электронов относительно полного числа электронов при этом мала. Получен электронный пучок в атмосфере гелия с амплитудой 140 A (плотность тока пучка более 10 A/cm²) при энергии электронов ~ 150 keV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.