Методами дифракции быстрых электронов на отражение и фотолюминесценции проведены исследования массивов InAs квантовых точек, сформированных на поверхности GaAs(100). Количество осажденного InAs соответствует толщине смачивающего слоя, меньшей критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту. Экспериментально показано, что при толщинах осаждения 1.5 и 1.6 монослоя и последующей выдержке в потоке As4 происходит формирование островков на поверхности. Исследовано влияние температуры подложки на кинетические характеристики формирования островков InAs/GaAs.
Ustinov V.M. et al. // Nanotechnology. 2000. V. 11. P. 397--400
Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. R41--R45
Cirlin G.E., Guryanov G.M., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Grundmann M., Bimberg D. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 97--99
Guryanov G.M., Cirlin G.E., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Grundmann M., Bimberg D., Alferov Zh.I. // Surf. Sci. 1996. V. 352--354. P. 646
Tonkikh A.A., Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Egorov V.A., Ustinov V.M., Werner P. // Phys. Stat. Sol (b). 2003. V. 236. N 1. P. R1--R3
Muller P., Kern R. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 102. P. 6--11
Osipov A.V., Schmitt F., Kukushkin S.A., Hess P. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 188. P. 156--162
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.