"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Ударно-ионизационные автосолитоны в кремнии с глубокими примесными уровнями
Мусаев А.М.1
1Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала
Email: akhmed-musaev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Приводятся результаты экспериментального обнаружения и исследования автосолитонов (АС) с самопроизводством носителей заряда при ударной ионизации глубоких акцепторных уровней индия в кремнии в сильных электрических полях при температуре 77 K. В рассматриваемой модели возбуждения АС роль активатора играет концентрация свободных носителей заряда, а роль ингибитора температура носителей. Существование АС определяется тем, что область высокой концентрации носителей в центре АС не расплывается, так как диффузионный поток из центра АС уравновешивается термодиффузионным.
  • Кернер Б.С., Осипов В.В. Автосолитоны. М.: Наука, 1991. 199 с
  • Кернер Б.С., Синкевич В.Ф. // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т. 36. В. 10. С. 359--362
  • Ващенко В.Н., Кернер Б.С., Осипов В.В. и др. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 10. С. 1705--1707
  • Мусаев А.М. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 10. С. 1183--1186
  • Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 568 с
  • McCombs A.E. // Int. Journ. Electron. 1972. V. 32. P. 361--363
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.