Исследована степень циркулярной поляризации фотолюминесценции образцов с квантовыми ямами GaAs/AlGpAs, выращенных с прерыванием роста на обоих интерфейсах и в условиях обычного роста. Обнаружено, что при низкой (4.2 K) температуре измерений в образце, выращенном с прерыванием роста, наблюдаются существенные различия в величине циркулярной поляризации, измеренной при различных энергиях детектирования в пределах спектрального контура полосы люминесценции, в то время как в образце, выращенном в обычном режиме, этот эффект не наблюдается. При повышении температуры образца до 77 K этот эффект исчезает. Наблюдаемое поведение объясняется в рамках модели, учитывающей существенно различную степень локализации носителей в островках роста (формирующихся на интерфейсах структуры), пространственные размеры которых определяются конкретными условиями роста образца.
L. Esaki. IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1611 (1986)
D. Bimberg, D. Mars, J.N. Miller. J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1014 (1986)
G. Bastard, C. Delalande, M.H. Meynadier, P.M. Frijlink, M. Voos. Phys. Rev. B 29, 7042 (1984)
D. Gammon, E.S. Snow, B.V. Shanabrook, D.S. Katzer, D. Park. Phys. Rev. Lett. 76, 3005 (1996)
Quantum coherence, correlation and decoherence in semiconductor nanostructures / Ed. T. Takagahara. Elsevier Science, USA (2003)
A.V. Khaetskii, Y.V. Nazarov. Phys. Rev. B 61, 12 639 (2000)
Optical orientation / Eds F. Meier, B.P. Zakharchenya. North-Holland, Amsterdam (1984)
Quantum semiconductor structures / Eds C. Weisbush, B. Vinter. Academic Press, Boston (1991)
T. Hayakawa, T. Suyama, K. Takahashi, M. Kondo, S. Yano, T. Hijikata. Appl. Phys. Lett. 47, 952 (1985)
H. Sakaki, M. Tanaka, J. Yoshino. Jpn. J. Appl. Phys. 24, L417 (1985)
R.C. Miller, D.A. Kleinman, A.C. Gossard. Phys. Rev. B 29, 7085 (1984)
C. Weisbush, R.C. Miller, R. Dingle, A.C. Gosard, W. Wiegmann. Solid State Commun. 37, 219 (1981)
J. Barrau, G. Bacquet, F. Hassen, N. Lauret, T. Amand, M. Brousseau. Superlattices microstruct. 14, 27 (1993)
Spin physics in semiconductors / Ed. M.I. Dyakonov. Springer Verlag, Berlin-Heidelberg (2008)
A. Madhukar, T.C. Lee, M.Y. Chen, J.Y. Kim, S.V. Ghaisas, P.G. Newman. Appl. Phys. Lett. 46, 1148 (1985)
T. Fukunaga, K.L.I. Kobayashi, H. Nakashima. Jpn. J. Appl. Phys. 24, L510 (1985)
R.C. Miller, C.W. Tu, S.K. Sputz, R.F. Kopf. Appl. Phys. Lett. 49, 1245 (1986)
K. Fujiwara, K. Kanamoto, N. Tsukada. Phys. Rev. B 40, 9698 (1989)
B. Deveaud, T.C. Damen, J. Shah, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett. 51, 828 (1987)
K. Fujiwara, H. Katahama, K. Kanamoto, R. Cingolani, K. Ploog. Phys. Rev. B 43, 13 978 (1991).