Издателям
Вышедшие номера
Циркулярная поляризация люминесценции квантовых ям GaAs/AlGaAs в зависимости от условий роста структуры
Москаленко Е.С.1, Полетаев Н.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: evgenii.moskalenko@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Исследована степень циркулярной поляризации фотолюминесценции образцов с квантовыми ямами GaAs/AlGpAs, выращенных с прерыванием роста на обоих интерфейсах и в условиях обычного роста. Обнаружено, что при низкой (4.2 K) температуре измерений в образце, выращенном с прерыванием роста, наблюдаются существенные различия в величине циркулярной поляризации, измеренной при различных энергиях детектирования в пределах спектрального контура полосы люминесценции, в то время как в образце, выращенном в обычном режиме, этот эффект не наблюдается. При повышении температуры образца до 77 K этот эффект исчезает. Наблюдаемое поведение объясняется в рамках модели, учитывающей существенно различную степень локализации носителей в островках роста (формирующихся на интерфейсах структуры), пространственные размеры которых определяются конкретными условиями роста образца.
  • L. Esaki. IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1611 (1986)
  • D. Bimberg, D. Mars, J.N. Miller. J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1014 (1986)
  • G. Bastard, C. Delalande, M.H. Meynadier, P.M. Frijlink, M. Voos. Phys. Rev. B 29, 7042 (1984)
  • D. Gammon, E.S. Snow, B.V. Shanabrook, D.S. Katzer, D. Park. Phys. Rev. Lett. 76, 3005 (1996)
  • Quantum coherence, correlation and decoherence in semiconductor nanostructures / Ed. T. Takagahara. Elsevier Science, USA (2003)
  • A.V. Khaetskii, Y.V. Nazarov. Phys. Rev. B 61, 12 639 (2000)
  • Optical orientation / Eds F. Meier, B.P. Zakharchenya. North-Holland, Amsterdam (1984)
  • Quantum semiconductor structures / Eds C. Weisbush, B. Vinter. Academic Press, Boston (1991)
  • T. Hayakawa, T. Suyama, K. Takahashi, M. Kondo, S. Yano, T. Hijikata. Appl. Phys. Lett. 47, 952 (1985)
  • H. Sakaki, M. Tanaka, J. Yoshino. Jpn. J. Appl. Phys. 24, L417 (1985)
  • R.C. Miller, D.A. Kleinman, A.C. Gossard. Phys. Rev. B 29, 7085 (1984)
  • C. Weisbush, R.C. Miller, R. Dingle, A.C. Gosard, W. Wiegmann. Solid State Commun. 37, 219 (1981)
  • J. Barrau, G. Bacquet, F. Hassen, N. Lauret, T. Amand, M. Brousseau. Superlattices microstruct. 14, 27 (1993)
  • Spin physics in semiconductors / Ed. M.I. Dyakonov. Springer Verlag, Berlin-Heidelberg (2008)
  • A. Madhukar, T.C. Lee, M.Y. Chen, J.Y. Kim, S.V. Ghaisas, P.G. Newman. Appl. Phys. Lett. 46, 1148 (1985)
  • T. Fukunaga, K.L.I. Kobayashi, H. Nakashima. Jpn. J. Appl. Phys. 24, L510 (1985)
  • R.C. Miller, C.W. Tu, S.K. Sputz, R.F. Kopf. Appl. Phys. Lett. 49, 1245 (1986)
  • K. Fujiwara, K. Kanamoto, N. Tsukada. Phys. Rev. B 40, 9698 (1989)
  • B. Deveaud, T.C. Damen, J. Shah, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett. 51, 828 (1987)
  • K. Fujiwara, H. Katahama, K. Kanamoto, R. Cingolani, K. Ploog. Phys. Rev. B 43, 13 978 (1991).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.