Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2005, выпуск 23 » Статья стр. 81
<<<>>>
Электро- и магнетосопротивление двухслойной эпитаксиальной гетероструктуры 13.614(30 nm)La0.67Ca0.33MnO3/ (30 nm)La0.67Ba0.33MnO3
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.
PDF версия
Методом лазерного испарения выращены эпитаксиальные гетероструктуры (30 nm)La0.67Ca0.33MnO3/(30 nm)La0.67 Ba0.33MnO3/(001)LaAlO3. Верхний слой в двухслойных гетероструктурах находился под действием растягивающих в плоскости подложки механических напряжений, а слой (30 nm)La0.67Ba0.33MnO3 был двухосно сжат. Формирование пленки (30 nm)La0.67Ca0.33MnO3 на поверхности слоя (30 nm)La0.67Ba0.33MnO3 способствовало возрастанию механических напряжений в последнем. Максимальные значения электросопротивления rho выращенных двухслойных структур (30 nm)La0.67Ca0.33MnO3/(30 nm)La0.67Ba0.33 MnO3/(001)LaAlO3 наблюдались при температурах на 25-30 K ниже, чем максимум на кривых rho(T) для пленок (30 nm)La0.67Ba0.33MnO3/(001)LaAlO3.
  1. Pannetier M., Fermon C., Le Goff G., Simola J., Kerr E. // Science. 2004. V. 304. N 5677. P. 1648
  2. Parkin S.S.P., Roche K.P., Samant M.G., Rice P.M., Beyers R.B., Scheuerlein R.E., O'Sullivan E.J., Brown S.L., Bucchigano J., Abraham D.W., Lu Y., Rooks M., Trouilloud P.L., Wanner R.A., Gallagher W.J. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N 8. P. 5828
  3. Goyal A., Rajeswari M., Shreekala R., Lofland S.E., Bhagat S.M., Boettcher T., Kwon C., Ramesh R., Venkatesan T. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 17. P. 2535
  4. Snyder G.J., Hiskes R., DiCarolis S., Beasley M.R., Geballe T.H. // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. N 1. P. 14 434
  5. Weidenhorst B., Hofener C., Lu Y., Klein J., Alff L., Cross R., Freitag B.H., Mader W. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N 24. P. 3636
  6. Wyckoff R.W.J. // Crystal Structures. V. 2. 2nd Edition. Interscience. New York, 1964. P. 394
  7. Dai P., Zhang J., Mook H.A., Liou S.-H., Dowben P.A., Plummer E.W. // Phys. Rev. 1996. V. 54. N 6. P. R3694
  8. Zuccaro C., Berlincourt H.L., Klein N., Urban K. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N 11. P. 5695
  9. Бойков Ю.А., Данилов В.А. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 7. С. 75
  10. Kamins T.I. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. N 9. P. 4357
  11. Boikov Yu.A., Gunnarsson R., Claeson T. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 1. P. 435
  12. Бойков Ю.А., Клаесон Т. // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 2. С. 274
  13. Бойков Ю.А., Данилов В.А. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 14. С. 50
  14. Wang H.S., Li Q., Liu K., Chien C.L. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N 15. P. 2212

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme