Беляев А.Е.1,2, Болтовец Н.С.1,2, Иванов В.Н.1,2, Конакова Р.В.1,2, Кудрик Я.Я.1,2, Литвин П.М.1,2, Миленин В.В.1,2, Свешников Ю.Н.1,2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина ЗАО "Малахит-Элма", Москва, Россия
Email: konakova@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 8 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.
Представлены результаты исследований новой системы металлизации невыпрямляющих контактов к n-GaN. Контактная металлизация включает слои Au(200 nm)-Ti(TiBx)(100 nm)-Al(20 nm)-Ti(50 nm). В качестве диффузионного барьера использован слой TiBx. Показано, что контакты с диффузионным слоем TiBx сохраняют слоевую структуру и электрофизические параметры до температуры 700oC, тогда как контактная система Au-Ti-Al-Ti деградирует после быстрой термической обработки при T=700oC. Повышение температуры обработки до 900oC приводит к "размытию" слоевой структуры контакта Au-TiBx-Al-Ti-GaN. Рассмотрены физические причины, обусловливающие изменение параметров подобных контактных систем.
Markoc H. Nitride Semiconductors and Devices. Springer. 1999
Kordos P. // The Third International Euroconference on Advanced Semiconductor Devices. ASDAM, 2000. P. 47
Shur M.S. // Solid-State Electronics. 1998. V. 42. N 12. P. 2131
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. N 7. С. 769
Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наук. думка, 1981. 339 с
Данилин В.Н., Докучаев Ю.П., Жукова Т.А. и др. Мощные высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN / Обзоры по электронной технике. М.: ГУП НПП "Пульсар", 2001. Сер. 1. B. 1. 137 с
Lin Q.Z., Lau S.S. // Solid. State Electronics. 1998. V. 42. N 2. P. 677
Saparna Pal, Takashi Sugino. // Appl. Surface Science. 2000. V. 161. P. 263
Mohammad S. Noor. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. N 12. P. 7940
Kaminska E., Piotrowska A., Guziewicz M. et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. P. 1055
Mohney S.E., Luther B.P., Wolter S.D. et al. // 4-=SUP=-th-=/SUP=- Int. High Temperature Electronics Conf. (HiTEC). Albuquerqui, USA. 1998. P. 134
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.