Издателям
Вышедшие номера
Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированного As2Se3
Кастро Р.А.1, Анисимова Н.И.1, Бордовский В.А.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@fromru.com
Поступила в редакцию: 28 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Представлены результаты сравнительного анализа особенностей дисперсии составляющих комплексной диэлектрической проницаемости для чистых и легированных висмутом тонких слоев аморфного триселенида мышьяка. Установлена корреляция между экспериментальными данными и теоретическими расчетами аналогичных характеристик, полученных в предыдущих работах. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов. Работа поддержана проектом N 02.740.11.0544 Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" Министерства образования и науки РФ.
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цэндина. Наука, СПб. (1996). 496 с
  • Т.Ф. Мазец, К.Д. Цэндин. ФТП 24, 11, 1953 (1990)
  • К.Д. Цэндин. ФТП 25, 4, 617 (1991)
  • Р.А. Кастро, Н.И. Анисимова, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко. ФТП 51, 6, 1062 (2009)
  • Р.А. Кастро, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко. Письма в ЖТФ 36, 17, 9 (2010)
  • R.A. Castro, G.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Cryst. Solids 352, 1560 (2006)
  • Г.А. Лущейкин. Методы исследования электрических свойств полимеров. Химия, М. (1980). 160 с
  • С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, М.М. Асадов, И.А. Мамедбейли, К.М. Ахмедли. ФТП 30, 12, 2154 (1996)
  • С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ 46, 11, 1937 (2004)
  • Н.И. Анисимова, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Р.А. Кастро. ФТП 44, 8, 1038 (2010)
  • М.С. Гутенев. ФХС 9, 3, 291 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.