Исследовано влияние развитого нанорельефа поверхности покровного слоя, модифицированной анодным окислением и/или травлением, на характеристики водородочувствительных диодных гетероструктур с квантовой ямой Pd/GaAs/InGaAs. Показано, что значительное увеличение чувствительности и быстродействия таких структур в основном связано с уменьшением эффективного расстояния от модифицированной поверхности, на которой происходит ионная хемосорбция атомарного водорода, до упруго сжатого слоя квантовой ямы InGaAs, задерживающего диффузию водорода, что увеличивает его концентрацию на этой поверхности. PACS: 81.07.-b, 81.07.St

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.