Показана возможность устойчивой во времени нанолокальной зарядки тонких слоев окисла SiO2 с встроенными нанокристаллами Si. Локальная зарядка слоя SiO2 и контроль ее результатов осуществлялись под зондом атомно-силового микроскопа методом электростатической силовой микроскопии (ЭСМ). Нанокристаллы Si в слое SiO2 толщиной 12 nm получались имплантацией ионов Si+ с малыми энергиями 1 keV с последующим отжигом в атмосфере азота с присутствием 1.5 % кислорода. Отмеченные особенности формирования нанокристаллов Si привели к важным улучшениям их структурных свойств и, как результат, позволили достичь рекордный уровень локальности и большую длительность эффекта зарядки. В полученных слоях SiO2 с встроенными нанокристаллами Si диаметр областей зарядки не превышал 35 nm, а длительность сохранения заряда составляла десятки часов. Локальная ЭСМ-зарядка предлагается в качестве метода зарядовой нанолитографии на слоях окисла. PACS: 61.82.Rx, 68.37.Ps, 68.47.Gh
Hanafi H.I., Tiwary S., Kham I. // IEEE Trans. Electron Devices. ED-43. 1993. P. 1553
Jones J.T., Bridger P.M., Marsh O.J., McGill T.C. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 1326
Boer E.A., Brongersma M.L., Atwater H.A., Flagan R., Bell L. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 791
Guillemot C., Budau P., Chevrier J., Marchi F., Comin F., Alandi C., Bertin F., Buffet N., Wyon Ch., Mur P. // Europhys. Lett. 2002. V. 59. P. 566
Dianoux R., Smilde H.J.H., Marchi F., Buffet N., Mur P., Comin F., Chevrier J. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 1 25 303
Girard P., Titkov A.N. Applied Scanning Probe Methods II, Scanning Probe Microscopy Techniques, 282--320 / Eds Bharat Bhushan and Harald Fuchs. Springer-Verlag, Berlin, 2006
Ng C.Y., Chen T.P., Lau H.W., Liu Y., Tse M.S., Tan O.K., Lim V.S.W. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 2941
Normand P., Kapetanakis E., Dimitrakis P., Tsoukalas D., Beltsios K., Cherkashin N., Bonafos C., Benassayag G., Coffin H., Claverie A., Soncini V., Agawal A., Ameen M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 168
Bonafos C., Carrada M., Cherkashin N., Coffin H., Chassaing D., Assayag G.Ben, Claverie A., Muller T., Heinig K.H., Perego M., Fanciulli M., Dimitrakis P., Normand P. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. P. 5696
Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А., Кеслер В.Г., Лейер А.Ф., Ruault M.O. // ФТП. 2002. V. 36. P. 685
Lambert J., Guthmann C., Saint-Jean M. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 5369
Colchero J., Gil A., Baro A.M. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 245 403