Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Перенос заряда в полупроводниковых SiC-детекторах ионизирующих излучений при наличии слоя центров захвата
Иванов А.М.1, Калинина Е.В.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Рассмотрено формирование сигнала при наличии слоя центров захвата. Расположение слоя вблизи поверхности приводит к тому, что ядерные частицы, имея большую протяженность трека, часть заряда генерируют за слоем. Показано, что модель при определенных условиях приводит к парадоксальному для практики детекторов результату - падению сигнала с ростом напряжения смещения. Приложение модели к результатам, полученным на 4H-SiC ионно-легированных детекторах, позволило по крайней мере качественно объяснить ранее неясное наблюдение: рост сигнала с температурой на участке его насыщения в функции приложенного напряжения (т. е. фактически в условиях полного переноса заряда). PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x
- Иванов А.М., Строкан Н.Б., Шуман В.Б. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 9. С. 79
- Иванов А.М., Строкан Н.Б., Шуман В.Б. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 3. С. 359
- Еремин В.К., Даненгирш С.Г., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. // ФТП. 1974. Т. 8. С. 556
- Калинина Е.В., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Ситникова А.А., Садохин А.В., Азаров А.Ю., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 1. С. 87
- Kalinina E., Kholujanov G., Sitnikova A., Kossov V., Yafaev R., Pensl G., Reshanov S., Hallen A., Konstantinov A. // Mat. Sci. Forum. 2003. V. 433--436. P. 637
- Kolesnikova E.V., Kalinina E.V., Sitnikova A.A., Zamoryanskaya M.V., Popova T.V. // Solid State Phenomena. 2007. V. 131--133. P. 53
- Hallen A., Nipoti R., Saddow S.E., Rao S., Svensson B.G. // Semiconductor Materials and Devices Series (Ed. by Saddow S.E. and Agarwal A.). 2004. P. 109--154.)
- Калинина Е.В. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. С. 769
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
