"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем
Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Дорохин М.В.1, Звонков Б.Н.1, Калентьева И.Л.1, Кудрин А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Показано наличие ферромагнетизма в полупроводниковых GaAs структурах, полученных сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления твердотельных мишеней в едином ростовом цикле и содержащих одиночный дельта-легированный слой марганца. Структуры демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла с петлей гистерезиса (коэрцитивная сила около 80 Oe) и отрицательное магнитосопротивление (до 4% в поле 3000 Oe) при температурах ниже точки Кюри (~ 30 K). PACS: 75.50.Pp, 75.47.-m
  • Onho H. // J. Magn. Magn. Mater. 1999. V. 200. P. 110--129
  • Nazmul A.M., Amemiya T., Shuto Y., Sugahara S., Tanaka M. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 017201
  • Kawakami R.K., Johnston-Halperin E., Chen L.F., Hanson M., Guebels N., Speck J.S., Gossard A.C., Awschalom D.D. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 15. P. 2379--2381
  • Onomitsu K., Fukui H., Maeda T., Hirayama Y., Horikoshi Y. // Journal of Crystal Growth. 2005. V. 278. P. 699--703
  • Nazmul A.M., Sugahara S., Tanaka M. // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 251. P. 303--310
  • Аронзон Б.А., Лагутин А.С., Рыльков В.В., Тугушев В.В., Меньшов В.Н., Лейскул А.В., Лайхо Р., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. // Письма в ЖЭТФ. 2008. Т. 87. B. 3. С. 192--198
  • Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979
  • Arrott A. // Physical Review. 1957. V. 108. P. 1394--1396
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.