Вышедшие номера
Эффект инверсии полевой электронной эмиссии с вольфрама, покрытого наноструктурированным углеродом, при адсорбции атомов цезия
Бернацкий Д.П.1, Павлов В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bernatskii@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Обнаружена инверсия полевой электронной эмиссии с пленки аморфного углерода, содержащей нанокластеры графита, при адсорбции на ее поверхности атомов цезия. Инверсия состоит в пропадании эмиссии с нанокластеров графита, бывших до нанесения цезия локальными источниками эмиссии, и в появлении однородной эмиссии с прежде не эмитировавшей поверхности аморфного углерода. Дается объяснение обнаруженного эффекта на основе процессов поверхностной диффузии атомов цезия в неоднородном электрическом поле, интеркалирования цезием нанокластеров графита и связанного с этими процессами "переворачивания" дипольного момента при изменении направления электрического поля.
  1. Fursey G.N. // Applied Surface Science. 2003. V. 215. P. 113
  2. Forbes R.G. // Solid-State Electronics. 2001. V. 45. P. 779
  3. Бернацкий Д.П., Павлов В.Г. // Изв. РАН. Сер. физ. 2009. Т. 73. С. 713
  4. Аверьянов В.Л., Звонарева Т.К., Чернышев А.В. и др. // ФТТ. 1991. Т. 33. С. 3410
  5. Bernatskii D.P., Chernyshev A.V., Ivanov-Omskii V.I. // Applied Surface Science. 2003. V. 215. P. 222
  6. Бернацкий Д.П., Власов Ю.А., Павлов В.Г. // ЖТФ. 1987. Т. 57. С. 2257
  7. Ageev V.N., Bernatskii D.P., Kuznetsov Yu.A., Pavlov V.G., Potekhina N.D., Yakshinskii B.V. // Phys. Low-Dim. Struct. 1994. V. 7. P. 51
  8. Гаврилюк Б.М., Наумовец А.Г. // ФТТ. 1963. Т. 5. В. 10. С. 2792
  9. Кнатько М.В., Лапушкин М.Н., Палеев В.И. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 74. С. 99

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.