Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии
Акчурин Р.Х.1, Богинская И.А.1, Вагапова Н.Т.1, Мармалюк А.А.1, Ладугин М.А.1
1Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
Email: rakchur@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Исследованы условия осаждения капель In на подложке GaAs (100) при низкотемпературном (100oC) разложении триметилиндия. Показано, что для устранения частичного слияния капель можно использовать последующую термическую обработку образцов для испарения избыточного индия. При температурах термообработки 350-500oC изменение состава капель индия за счет подрастворения подложки мало и слабо влияет на возможное изменение состава квантовых точек.
- Kim J.S., Koguchi N. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 24. P. 5893
- Wang Z.M., Liang B., Sablon K.A. et al. // Small. 2007. V. 3. N 2. P. 235
- Alonso-Gonzalez P., Alen B., Fuster D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 163 104
- Wang Z.M., Holmes K., Mazur Y.I. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2006. N 1. P. 57
- Акчурин P.X., Богинская И.А., Вагапова Н.Т. и др. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 1. С. 10
- Lee J.H., Wang Zh.M., Salamo G.J. // J. Phys.: Condens. Matter. 2007. V. 19. P. 176 223
- Lee J.H., Wang Zh.M., Kim E.S. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2010. V. 5. N 2. P. 308
- Несмеянов Ан. Н. // Давление пара химических элементов. М.: Изд-во АН СССР, 1961. 367 с
- Panish M.B., Ilegems M. // Prog. Sol. St. Chem. 1972. V. 7. P. 39
- Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials. 2nd edition. NY: Springer Science+Business Media Inc., 2006. 1406 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук