Структурное и фотоэлектрическое исследование эпитаксиального слоя Si1-xSnx
Саидов А.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Каланов М.1, Мадаминов X.M.1
1Физико-технический институт НПО "Физика
Поступила в редакцию: 11 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.
Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111) выращивались эпитаксиальные пленки Si1-xSnx (0=< x=< 0.04) n-типа проводимости. Исследованы структура эпитаксиальной пленки и спектральные зависимости фоточувствительности pSi-nSi1-xSnx (0=< x=< 0.04) структур при различных температурах. Показано, что эпитаксиальная пленка Si0.96Sn0.04 имеет совершенную монокристаллическую структуру с ориентацией (111) с размером субкристаллитов 60 nm. Наблюдался сдвиг края фоточувствительности структуры pSi-nSi0.96Sn0.04 в длинноволновую сторону по сравнению со структурой pSi-nSi. Обнаружено влияние температуры на фоточувствительность структур pSi-nSi0.96Sn0.04 в примесной области поглощения.
- Сапаев Б., Саидов А.С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 22. С. 88--94
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. 328 с
- Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во МГУ, 1972. 346 с
- Захарченко И.Н., Тимонин П.Н., Свиридов Е.В., Aлешин В.А. // Кристаллография. 2002. Т. 47. N 2. С. 322--325
- Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. А.А. Равделя и А.М. Пономаревой. Л.: Химия, 1983. 232 с
- Кривцов А.М., Морозов Н.Ф. // ФТТ. 2002. Т. 44. N 12. С. 2158--2163.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук