"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость диэлектрических параметров тонких слоев As2Se3 с большим содержанием висмута
Кастро Р.А.1, Бордовский В.А.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург
Email: recastro@fromru.com
Поступила в редакцию: 16 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Представлены результаты исследования температурно-частотных зависимостей диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка с добавкой висмута. В инфранизкочастотном диапазоне при повышении температуры обнаружены значительное увеличение вещественной составляющей комплексной диэлектрической проницаемости и появление максимумов диэлектрических потерь, смещающихся с увеличением частоты в сторону более высоких температур.
  • Eisenberg N.P., Manevich M., Arsh A., Klebanov M., Lyubin V. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2002. V. 4. P. 405
  • Aggarwal I.D., Sangera J.S. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2002. V. 4. P. 665
  • Kolobov A.V., Fons P., Frenkel A.I., Ankudinov A.L., Tominaga J., Uruga T. // Nature Materials. 2004. V. 3. P. 703
  • Конников С.Г., Павлов С.К., Цэндин К.Д., Шифрин Е.И., Шпунт В.Х. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 13. С. 48--51
  • Kolomiets B.T. // Phys. St. Sol. 1964. V. 7. N 359. P. 713
  • Golovchak R., Shpotyuk O., Kovalskiy A., Miller A.C., Cech J., Jain H. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 172201-1--4
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цэндина. СПб.: Наука, 1996. 486 с
  • Esme I., Zaim Cil C., Aktas G. // Appl. Phys. A. 1990. V. 51. P. 481--485
  • Цэндин К.Д. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 4. С. 617--622
  • Кастро Р.А., Бордовский В.А., Грабко Г.И. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 17. С. 9
  • Мазурин О.В. Электрические свойства стекла. Л.: Ленгосхимиздат, 1962. 163 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.