Вышедшие номера
Особенности вольт-амперных характеристик и температурные зависимости электропроводности слоев пористого кремния
Сорокин Л.М.1, Соколов В.И.1, Калмыков А.Е.1, Черняев А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный горный институт (Технический университет)
Поступила в редакцию: 8 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Предложен метод отделения пористого слоя кремния (ПК) от подложки без его деформации, практически исключающий его деградацию во времени. Измерены ВАХ ПК в температурном диапазоне 255-300 K. Впервые выполнены прямые измерения проводимости и установлен ее активационный характер при прохождении тока параллельно поверхности ПК.
  1. Балагуров Л.А. Пористый кремний: Получение, свойства, возможные применения. Материаловедение. 1998. В. 1. C. 50--56; В. 3. C. 23--45
  2. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. // Surface Science Reports. 2000. V. 38. P. 1--126
  3. Ратников В.В., Сорокин Л.М., Соколов В.И., Калмыков А.Е. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 12. С. 2289--2295
  4. Зимин С.П. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 3. С. 359
  5. Pavesi L., Ceschini M., Mariotto G., Zanghellini E., Bisi O. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75(2). P. 1118--1126
  6. Ben-Chorin M., Moller F., Koch F. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. N 4. P. 2981
  7. Сорокин Л.М., Григорьев Л.В., Калмыков А.Е., Соколов В.И. // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 7. С. 1316
  8. Lee W.H., Lee C., Lang J. // J. Non-Cryst. Sol. 1996. V. 198. P. 911
  9. Libianiker Y., Balberg I., Partee J., Shinar J. // J. Non-Cryst. Sol. 1996. V. 198. P. 949
  10. Горячев Д.Н., Полисский Г., Сресели О.М. // ФТП. 2000. Т. 34. B. 2. С. 227
  11. Болотов В.В., Стенькин Ю.А., Росликов В.Е., Кан В.Е., Пономарева И.В., Несов С.Н. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 7. С. 957

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.