"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As2Se3, приготовленных разными методами
Кастро Р.А.1, Грабко Г.И.1, Татуревич Т.В.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург
Email: recastro@fromru.com
Поступила в редакцию: 4 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

В аморфных слоях As2Se3, приготовленных методами термического испарения и ионно-плазменного высокочастотного распыления, изучены поляризационные процессы в переменном электрическом поле в диапазоне частот f~ 10-2-107 Hz и в интервале температур 253-343 K. В результате проведенных исследований установлено значительное влияние способа изготовления образцов на диэлектрический отклик изучаемых структур, что связано со специфическими особенностями локализованных состояний.
  • Kolobov A.V., Fons P., Frenkel A.I., Ankudinov A.L., Tominaga J., Uruga T. // Nature Materials. 2004. V. 3. P. 703
  • Кастро Р.А., Бордовский В.А., Грабко Г.И. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 17. С. 9--15
  • Кастро Р.А., Бордовкий В.А., Грабко Г.И. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 20. С. 80
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цендина. СПб.: Наука, 1996. 486 с
  • Аверьянов В.Л., Коломиец Б.Т., Любин В.М., Приходько О.Ю. // Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. B. 5. C. 77
  • Sarsembinov Sh.Sh., Prikhodko O.Yu., Ryaguzov A.P., Maksimova S.Ya., Ushanov V.Zh. // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19 (7). P. 787
  • Мазурин О.В. Электрические свойства стекла. Л.: Ленгосхимиздат, 1962. 163 c
  • Микла В.И., Семак Д.Г., Михалько И.П. // Изв. вузов. Сер. Физ. 1977. Т. 5. С. 66
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.