Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 24 » Статья стр. 57
<<<>>>
Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией
Кудрин А.В.1, Дорохин М.В.1, Данилов Ю.А.1, Малышева Е.И.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: kudrin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.
PDF версия
Сформирована и исследована pin-диодная структура с квантовой ямой InGaAs/GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnAs в качестве полупроводника p-типа проводимости. Показано, что внешнее магнитное поле приводит к уменьшению (на ~ 5% в магнитном поле 3600 Oe при 10 К) сопротивления слоя GaMnAs. В режиме источника напряжения изменение сопротивления приводит к увеличению интенсивности электролюминесценции светоизлучающего диода. Указанный эффект обусловлен ферромагнетизмом в GaMnAs и спадает до нуля при температуре, превышающей температуру Кюри ферромагнитного слоя.
  1. Holub M., Bhattacharya P.// J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. R179--R203
  2. Concepts in spin electronics / Ed. S. Maekawa. N.Y., Oxford University Press, 2006
  3. Schmidt G. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. R107--R122
  4. Fiederlihg R., Grabs P., Ossau W., Schmidt G., Molenkamp L.W. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N 13. P. 2160--2163
  5. Saha D., Basu D., Bhattacharya P. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 194104
  6. Appelbaum I., Russel K.J., Monsma D.J., Narayanamurti V., Marcus C., Hanson M.P., Gossard A.C. // Appl. Phys. Lett. 2003. V 83. P. 4571
  7. Young D.K., Gupta J.A., Johnston-Halperin E., Epstein R., Kato Y., Awschalom D.D. // Semicond. Sci. Tech. 2002. V. 17. P. 275--284
  8. Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Подольский В.В., Сапожников М.В. // Оптический журнал. 2008. Т. 75. В. 6. С. 56--61
  9. Дорохин М.В., Демина П.Б., Байдусь Н.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Прокофьева М.М. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. В. 5. С. 34--39
  10. Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Кудрин А.В., Сапожников М.В. // ФТТ. 2010. Т. 52. B. 11. С. 2124--2127
  11. Matsukura F., Ohno H., Shen A., Sugawara Y. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. N 4. P. R237--R240
  12. Wang K.Y., Edmonds K.W., Campion R.P., Zhao L.X., Foxon C.T., Gallagher B.L. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 085201-1--7

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme