"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками
Байдакова Н.А.1, Новиков А.В.1, Лобанов Д.Н.1, Яблонский А.Н.1
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Email: banatale@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Описана модификация метода спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, позволяющая исследовать процессы поглощения света и излучательной рекомбинации носителей заряда в структурах с Ge(Si)/Si(001) самоформирующимися наноостровками. Особенность развитого метода состоит в регистрации сигнала фотолюминесценции исследуемых структур с временным и спектральным разрешением при различных энергиях кванта возбуждающего излучения. Регистрация с временным разрешением позволила разделить в спектрах фотолюминесценции исследованных структур сигналы, связанные с излучательной рекомбинацией носителей заряда в островках и смачивающем слое, а также выявить паразитные сигналы, связанные с комбинационным рассеянием возбуждающего излучения в кремниевой подложке.
  • Tong S., Liu J.L., Wan J., Kang L. Wang // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 80. P. 1189--1191
  • Apertz R., Vescan L., Hartmann A., Dieker C., Luth H. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 445--447
  • Schneider R.P., Wessels B.W. // J. Electronic Materials. 1991. V. 20. P. 1117--1123
  • Mowbray D.J., Tribe W.R., Skolnick M.S., Sturge M.D., Hopkinson M., Cullis A.G., Whitehouse C.R. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 17 738--17 744
  • Adnane B., Karlsson K.F., Hansson G.V., Holtz P.O., Ni W.-X. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 181 107-(1--3)
  • Yu P.Y., Kardona M. // Fundamentals of semiconductors (Physics and material properties). Berlin. Springer, 2010. Ed. 4. Chap. 7.1.5. P. 369
  • Le Thanh V., Yam V., Boucaud P., Fortuna F., Ulysse C., Bouchier D., Vervoort L., Lourtioz J.-M. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. P. 5851--5857
  • Boucaud P., Sauvage S., Elkurdi M., Mercier E., Drunhes T., Le Thanh V., Bouchier D. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 155 310-(1--6)
  • Dargys A., Kundrotas J. // Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP. Vilnius. Science and Encyclopedia Publishers. 1994. Chap. 2.3. P. 100
  • Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Яблонский А.Н. // ФТП. 2008. Т. 42. С. 91--95
  • Sunamura H., Usami N., Shiraki Y., Fukatsu S. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3024--3026
  • Temple P.A., Hathaway C.E. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. P. 3685--3697
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.