Впервые методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота в электронно-циклотронном резонансном разряде, создаваемом излучением технологического гиротрона, при низких (350oC) температурах роста получены пленки InN гексагональной модификации на подложках иттрием стабилизированного циркония, yttria stabilized zirconia (YSZ) ориентаций (111) и (100) и Al2O3 (0001) со скоростью роста 1 mum· h-1. Пленки, выращенные без буферного слоя, имеют структуру текстурированного поликристалла. С использованием двойного буферного слоя InN/GaN на подложках Al2O3 (0001) получены монокристаллические пленки InN. Приводятся данные по морфологии, структуре и фотолюминесцентным свойствам выращенных пленок.
Junqiao Wu. // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. P. 011101
Yu-Syuan Lin, Shun-Hau Koa, Chih-Yuan Chan, Shawn S.H. Hsu, Hong-Mao Lee, Shangjr Gwo // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 142111
Guo-Guang Wu, Wan-Cheng Li., Chun-Sheng Shen, Fu-Bin Gao, Hong-Wei Liang, Hui Wang, Li-Jun Song, Guo-Tong Du // Appl. Phys. Lett. 2012. P. 103504
Dimakis E., Nikiforov A.Yu., Thomidis C., Zhou L., Smith D.J., Abell J., Kao C.-K., Moustakas Т.Д. // Phys. stat. sol. (a). 2008. 205. N 5. P. 1070--1073. / DOI 10.1002/pssa. 200778742
Briot O., Ruffenach S., Moret M., Gil B., Giesen Ch., Heuken M., Rushworth S., Leese T., Succi M. // J. Crystal Growth. 311. 2009. P. 2761--2766
Nakamura T., Tokumoto Y., Katayam R. // J. Crystal Growth 2007. V. 508. P. 301--302
Бузынин А.Н., Осико В.В., Бузынин Ю.Н. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2010. Т. 74. N 7. С. 1075
Vodopyanov A.V., Golubev S.V., Mansfeld D.A., Sennikov P.G., Drozdov Yu.N. // Review of Scientific Instruments. 2011. V. 82. P. 063503
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.