Издателям
Вышедшие номера
Гетерофазный механизм возникновения низкотемпературного пика вещественной части проводимости ВТСП материалов
Корженевский А.Л., Лужков А.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

На основании предположения о гетерофазной структуре образца вблизи точки сверхпроводящего перехода предложен простой механизм появления пика вещественной части проводимости, основанный на идеях теории протекания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.