Издателям
Вышедшие номера
Влияние спин-орбитально отщепленной дырочной зоны на знак угла фарадеевского вращения в полумагнитных полупроводниках AII1MnxBVI
Гашимзаде Ф.М., Надирзаде Р.С., Бабаев А.М.
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

В предлагаемой статье произведен расчет угла фарадеевского вращения в полумагнитных полупроводниках (ПМП) в рамках модели Кейна с учетом обменного расщепления зон. Показано, что учет электронных переходов из глубоколежащей спин-орбитально отщепленной дырочной зоны в зону проводимости приводит к изменению знака в theta(omega). Полученные теоретические зависимости в theta(omega) сравнены с экспериментальными данными для различных составов Zn1-xMnxTe при комнатной температуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.