Издателям
Вышедшие номера
Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений A3B5
Карпов С.В.1, Новиков Б.В.1, Смирнов М.Б.1, Давыдов В.Ю.2, Смирнов А.Н.2, Штром И.В.3, Цырлин Г.Э.2,3,4, Буравлев А.Д.2,3, Самсоненко Ю.Б.2,3,4
1Институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский академический университет --- Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: igorstrohm@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Исследованы рамановские спектры нитевидных нанокристаллов (нановискеров) GaAs, выращенных на различных подложках и различающихся содержанием сфалеритной и вюрцитной фаз. Особое внимание уделено проявлению структурных особенностей в спектрах рассеяния нановискеров. Установлено, что для нановискеров характерны как случайные включения вюрцитных слоев в структуру сфалерита, так и непрерывный рост в вюрцитной фазе. Интерпретация спектра рассеяния согласуется с представлением о сложении дисперсионных зависимостей сфалерита при переходе к структуре вюрцита, что приводит к переводу краезонных мод в точке L в центрозонные моды структуры вюрцита и, как следствие, к появлению ряда новых фундаментальных мод разной симметрии. По спектрам рамановского рассеяния установлено появление в узких слоях нитевидных нанокристаллов гексагонального политипа 4H из-за случайной укладки гексагональных слоев. Сосуществование сфалеритной и вюрцитной фаз в нитевидных нанокристаллах GaAs полностью коррелирует со спектрами фотолюминесценции, полученными на тех же образцах. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (контракты N 02.740.11.0383, 16.740.11.0019 и 14.740.11.0592), различных научных программ Президиума РАН, грантов РФФИ и программ FP7 SOBONA и FUNPROB.
  • A. Mishra, L.V. Titova, T.B. Hoang, H.E. Jackson, L.M. Smith, J.M.Yarrison-Rice, Y. Kim, H.J. Joyce, Q. Gao, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett. 91, 263 104 (2007)
  • R. Banerjee, A. Bhattacharya, A. Genc, B.M. Arora. Phil. Mag. Lett. 86, 807 (2006)
  • R.E. Algra, M.A. Verheijen, M.T. Borgstrom, L.F. Feiner, G. Immink, W.J.P. van Enckevort, E. Vlieg, E.P.A.M. Bakkers. Nature (London) 456, 369 (2008)
  • F. Jabeen, V. Grillo, S. Rubini, F. Martelli. Nanotechnology 19, 275 711 (2008)
  • J. Noborisaka, J. Motohisa, T. Fukui. Appl. Phys. Lett. 86, 213 102 (2005)
  • Q. Xiong, J. Wang, P.C. Eklund. Nano Lett. 6, 2736 (2006)
  • J. Arbiol, S. Estrade, J.D. Prades, A. Cirera, F. Furtmayr, C. Stark, A. Laufer, M. Stutzmann, M. Eickhoff, M.H. Gass, A.L. Bleloch, F. Peiro, J.R. Morante. Nanotechnology 20, 145 704 (2009)
  • N. Ghaderi, M. Peressi, N. Bingelli. Front. Fund. Comp. Phys. 1018, 193 (2008)
  • T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, T. Ito. J. Appl. Phys. 45, Pt 2, L 275 (2006)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. B 77, 035 414 (2008)
  • I. Zardo, S. Conesa-Boj, F. Peiro, J.R. Morante, J. Arbiol, E. Uccelli, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral. Phys. Rev. B 80, 245 324 (2009)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ 47, 12, 2121 (2005)
  • S. Crankshaw. M. Moewe, L.C. Chuang, R. Chen, C. Chang-Hasnain. Polarized raman modes of a single wurtzite GaAs needle. Proc. ofthe Cong. on Lasers and Electro-Optics (CLEO). Baltimore, Maryland (2009)
  • D. Spirkoska, J. Arbiol, A. Gustafsson, S. Conesa-Boj, F. Glas, I. Zardo, M. Heigoldt, M.H. Gass, A.L. Bleloch, S. Estrade, M. Kaniber, J. Rossler, F. Peiro, J.R. Morante, G. Abstreiter, L. Samuelson, A. Fontcuberta i Morral. Phys. Rev. B 80, 245 325 (2009)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B 71, 205 325 (2005)
  • B.V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Philosofov, I.V Shtrom, V.G. Talalaev, O.V. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Girlin, V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi (RRL) 4/7, 175 (2010)
  • V.N. Kats, V.P. Kochereshko, A.V. Platonov, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.D. Samsonenko, J. Bleuse, H. Mariette. Proc. of the 18th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology". St.Petersburg, Russia (2010). P. 162
  • C.A. Arguello, D.L. Riusseau, S.P.S. Porto. Phys. Rev. 181, 1351 (1969)
  • R.L. Farrow, R.K. Chang, S. Mroczkowski, F.H. Pollak. Appl. Phys. Lett. 31, 11, 1 (1977)
  • G.D. Mahan, R. Gupta, Q. Xiong, C.K. Adu, P.C. Eclund. Phys. Rev. B 68, 073 402 (2003)
  • N. Begum, M. Piccin, F. Jabeen, G. Bais, S. Rubini, F. Martelli, A.S. Bhatti. J. Appl. Phys. 104, 104 311 (2008)
  • Properties of aliminium galium arsenide / Ed S. Adachi. Institution of Enginnering and Technology, INSPEC (1993). 341 p
  • A.B. Pevtsov, V.Yu. Dabydov, N.A. Feoktistov, V.G. Karpov. Phys. Rev. B 523, 955 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.