Издателям
Вышедшие номера
Эффект компенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe, синтезированном в неравновесных условиях
Багаев В.С.1, Клевков Ю.В.1, Колосов С.А.1, Кривобок В.С.1, Шепель А.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
Email: kolosov@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

В нелегированном поликристаллическом CdTe, полученном в процессах быстрой кристаллизации, обнаружен эффект компенсации, приводящей к возрастанию удельного сопротивления до 108-1010 Omega·cm при концентрации фоновых примесей ~1015 cm-3 (доноры GaCd, ClTe неидентифицированные акцепторы). Для отдельных образцов этот эффект сопровождается появлением незатухающей фотопроводимости, исчезающей при температуре ~200 K. Показано, что для всех исследованных поликристаллов реализуется трехуровневый механизм компенсации, в котором основные свойства материала определяют глубокие доноры и/или акцепторы с концентрацией 1012 cm-3. В зависимости от конкретных условий роста удельное сопротивление при комнатной температуре определяют глубокие центры с энергиями активации 0.59±0.1, 0.71±0.1 eV, предположительно связанные с собственными точечными дефектами, и 0.4±0.1 eV, относящийся к DX-центру, образованному GaCd. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 08-02-01019-a и 0.9-02-01425-a), ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" (Г.К. N П419) и гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых кандидатов наук РФ МК-64564.2010.2.
  • G. Mandel. Phys. Rev. 134, 4A, A 1073 (1964)
  • Y. Marfaing. Thin Solid Films 387, 123 (2001)
  • W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Wegel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B 51, 16, 10 610 (1995)
  • G.F. Neumark. Phys. Rev. B 26, 4, 2250 (1982)
  • Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 66, 155 211 (2002)
  • A. Carvalho, A.K. Tagantsev, S. Oberg, P.R. Briddon, N. Setter. Phys. Rev. B 81, 075 215 (2010)
  • Mao-Hua Du, H. Takenaka, D.J. Singh. Phys. Rev. B 77, 094 122 (2008)
  • M. Fiderle, V. Babentsov, J. Franc, A. Fauler, K.W. Benz, R.B. James, E. Cross. J. Cryst. Growth 243, 77 (2002)
  • J. Franc, M. Fiederle, V. Babentsov, A. Fauler, K.W. Benz, R. James. J. Electron. Mater. 32, 7, 772 (2003)
  • D.J. Chadi, C.H. Park. Mater. Sci. Forum 196--201, 285 (1995)
  • S.B. Zhang, S.-H. Wei, Yanfa Yan. Physica B 302--303, 135 (2001)
  • A. Zunger. Appl. Phys. Lett. 83, 57 (2003)
  • Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Status Solidi B 229, 305 (2002)
  • Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, В.С. Багаев, В.С. Кривобок. ФТП 40, 2, 153 (2006)
  • В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, А.А. Шепель. ФТП 45, 7, 908 (2011)
  • Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, С.Н. Николаев. ФТП 42, 11, 1291 (2008)
  • M.A. Berding. Phys. Rev. B 60, 12, 8943 (1999)
  • G.M. Khattak, C.G. Scott. J. Phys.: Cond. Matter 3, 8619 (1991)
  • H. Elhadidy, J. Franc, E. Belas, P. Hlidek, P. Moravec, R. Grill, P. Hoschl. J. Electron. Mater. 37, 9, 1219 (2008)
  • P. Emanuelsson, P. Omling, B.K. Meyer, M. Wienecke, M. Schenk. Phys. Rev. B 47, 15 578 (1993)
  • A. Balcioglu, R.K. Ahrenkiel, F. Hasson. J. Appl. Phys. 88, 7175 (2000)
  • T. Ido, A. Heurtel, R. Triboulet, Y. Marfaing. J. Phys. Chem. Solids 48, 781 (1987)
  • R.J. Nelson. Appl. Phys. Lett. 31, 5, 351 (1977)
  • D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. Lett. 39, 10, 635 (1977)
  • D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B 39, 14, 10 063 (1989)
  • C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B 52, 16, 11 884 (1995)
  • E. Placzek-Popko, Z. Gumienny, J. Trzmiel, J. Szatkowski. Opt. Appl. 38, 3, 359 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.