Издателям
Вышедшие номера
Изменения в спектрах оптического поглощения пленок Bi 1.8Pb 0.2Sr 2Ca 2Cu 3O 10+x при фазовом переходе аморфное состояние--кристалл
Окунев В.Д.1, Дьяченко Т.А.1
1Донецкий физико-технический институт АН Украины
Поступила в редакцию: 7 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Изменения в спектрах находят объяснение в рамках традиционных зонных представлений. В аморфном состоянии оптическая ширина запрещенной зоны Eag0 составляет 1.85 ± 0.05 эВ. В процессе кристаллизации пленок их электропроводность возрастает на 10 порядков, уровень Ферми смещается в глубь валентной зоны, а Ecg0 увеличивается до 3.275±0.025 эВ и не зависит от температуры перехода в сверхпроводящее состояние. Минимум коэффициента поглощения в спектре, где наряду с межзонными переходами проявляется участок, обусловленный поглощением свободными носителями заряда, расположен при энергии 1.25 эВ.
  • Yavari A.R., Lejay P. J. Cryst. Growth. 1988. V. 91. P. 290--294
  • Atsushi Tanaka, Takato Machi, Nobuo Kamehara, Koichi Niwa Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 14. P. 1362--1364
  • Mei Yu, Luo H.L., Hu Roger Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 6. P. 581--583
  • Kaffy H., Labdi S., Laborde O., Monceau P. Physica B. 1990. V. 165--166. P. 1423--1424
  • Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Самойленко З.А., Свистунов В.М. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. N 5. С. 39--42
  • Окунев В.Д., Пафомов Н.Н. Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. N 9. С. 1--6
  • Okunev V.D., Samoilenko Z.A. Materials Science Forum. 1990. V. 62--64. P. 29--30
  • Окунев В.Д., Самойленко З.А. ФТТ. 1991. Т. 33. N 10. С. 2811--2815
  • Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., 1982. 662 с
  • Окунев В.Д., Самойленко З.А. Изв. РАН. Неорган. материалы. 1992. Т. 28. N 4. С. 847--852
  • Номерованная Л.В., Махнев А.А., Киримова М.М., Мошкин С.В., Любимов М.Г., Егорова Н.В. СФХТ. 1992. Т. 5. N 8. С. 1468--1477
  • Hirochi K., Setsune K., Hayashi S., Mizuno K., Matsushita T., Ichikawa Y., Adachi H., Wasa K. Physica B. 1990. V. 165--166. P. 125
  • Смит Р.А. Полупроводники. М.: Мир, 1982. С. 558
  • Claessen R., Manzke R., Carstensen H., Burandt B., Buslaps T., Skibowski M., Fink J. Phys. Rev. 1989. V. B39. N 10. P. 7316--7319
  • Humlicek J., Schmidt E., Bov canek L., Garriga M., Cardona M. Solid State Commun. 1990. V. 73. N 2. P. 127--130
  • Zibold A., Durrler M., Gaymann A., Geserich H.P., Nucker N., Burlakov V.M., Muller P. Physica C. 1992. V. C193. P. 171--177
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.