Издателям
Вышедшие номера
ЭПР бора в кубическом SiC: проявление эффекта Яна-Теллера
Баран Н.П.1, Братусь В.Я.1, Бугай А.А.1, Вихнин В.С.1, Климов А.А.1, Максименко В.М.1, Петренко Т.Л.1, Романенко В.В.1
1Ростовский государственный университет Научно-исследовательский институт физики
Поступила в редакцию: 14 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Проведено изучение угловой и температурной зависимостей спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) бора в кубическом карбиде кремния (3С--SiC). Установлено, что центру B в 3С--SiC отвечает группа точечной симметрии C3v; понижение симметрии от кубической до тригональной обусловлено эффектом Яна--Теллера. Детально исследованы двигательные эффекты, связанные с переориентацией незаполненной орбитали бор--углерод между четырьмя направлениями ян-теллеровских смещений типа < 111>. Температурная зависимость скорости переориентации объяснена фононно-индуцированным туннелированием B в основном колебательном состоянии и туннельно-контролируемым процессом через возбужденное колебательное состояние. Обнаружено, что спин-релаксационное уширение линий ЭПР B в 3C-SiC происходит с участием LO-фононов.
  • Водаков Ю.А., Гончаров Е.Е., Ломакина Г.В., Мальцев А.А., Молохов Е.Н., Одинг В.Г., Рамм М.Г., Рябова Г.Г., ФТП. 1987. Т. 21. N 2. С. 207--211
  • Woodbury H.H., Ludwig G.W., Phys. Rev. 1961. V. 124, N 4. P. 1083--1089
  • Hardeman G.E.G., Gerritsen G.B. Phys. Lett. 1968. V. 20. N 6. P. 623--624
  • Вейнгер А.И., Водаков Ю.А., Козлов Ю.И., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Соколов В.И. Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. N 21. С. 1319--1323
  • Зубатов А.Г., Зарицкий И.М., Лукин C.Н., Молохов Е.Н., Степанов В.Г. ФТТ. 1985. Т. 27. N 2. С. 322--329
  • Романов Н.Г., Ветров В.А., Баранов Н.Г., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. N 19. С. 1168--1172
  • Baranov P.G., Romanov N.G. ICDS-16 Materials Science Forum. 1992. V. 83--87. P. 1207--1212
  • Петренко Т.Л., Тесленко В.В., Мохов Е.Н. ФТП. 1992. Т. 26. N 9. C. 1556--1564
  • Ikeda М., Matsunami H., Tanaka T. Phys. Rev. B. 1980. V. 22. N 6. P. 2842--2854
  • Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М.: Мир, 1985. 304 с
  • Btatus V.Ya., Baran N.P., Bugai A.A., Klimov A.A., Maksimenko V.M., Petrenko T.L., Romanenko V.V. Defects and diffusion forum. 1993. V. 103--105. P. 603--611
  • Мельман M.Л., Самойлович M.И. Введение в спектроскопию ЭПР активированных монокристаллов. М.: Атомиздат, 1977. 272 с
  • Кютт Р.Н., Мохов Е.Н., Трегубова А.С. ФТТ. 1981. Т. 23 N 11, С. 3496--3499
  • Waber J.T., Gromer D.T. J. Chem. Phys. 1965. V. 42. N 12. P. 4116--4123
  • Gutovsky H.S., Salka A. J. Chem. Phys. 1953. V. 21. N 9. P. 1688--1697
  • Watkins G.D., Gorbett J.W. Phys. Rev. 1964. V. 1143. N 54. P. 1359--1377
  • Watkins G.D. Phys. Rev. B. 1976. V. 13. N 6. P. 2511--2518
  • Вихнин В.C., Сочава Л.C., Толпаров Ю.Н. ФТТ. 1978. Т. 20. N 8. C. 2412--2419
  • Pirs R., Zeks B., Gosar P. J. Phys. Chem. Sol. 1966. V. 27. N 8. P. 1219--1226
  • Вакуленко О.В., Горин С.Н., Гусева О.А. ФТП. 1980. Т. 14. N 8. C. 1568--1572
  • Вихнин В.С. ФТТ. 1978. Т. 20. N 5. C. 1340--1346
  • Ильин М.А., Карштенд Е.М., Рашевская Е.П. ФТП. 1972. Т. 6. N 11. С. 2230--2232
  • Choyke W.J., Patrik L. Phys. Rev. B. 1971. V. 4. N 6. P. 1843--1847
  • Копылов А.А., Пихтин А.Н. ФТП. 1976. Т. 10. N 1. С. 15--19
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.