"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Точные решения двумерных задач о слое Шоттки на поверхности полупроводника
Ефанов А.В.1
1Институт физики полупроводников Новосибирск
Поступила в редакцию: 16 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Рассчитывается распределение потенциала вблизи системы электродов на границе полупроводника и диэлектрика. Область пространственного заряда в полупроводнике описывается в модели Шоттки. Предполагается, что среды имеют одинаковые диэлектрические проницаемости. Рассматривается двумерная задача, когда все величины не зависят от одной координаты вдоль поверхности полупроводника. Нелинейная задача экранирования сводится к нахождению формы слоя Шоттки и решается методами теории аналитических функций. Теория иллюстрируется на примере расчета потенциала узкого металлического электрода.
  • Ефанов А.В., Энтин М.В. ЖЭТФ. 1987. Т. 93. Вып. 4 (10). С. 1299--1303
  • Ефанов А.В., Энтин М.В. ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 11. С. 2013--2017
  • Ефанов А.В. ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 5. С. 902--907
  • Лаврентьев М.А., Шабат Б.В. Методы теории функций комплексного переменного. М., 1965. С. 716
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.