"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Параметры силовых кремниевых диодов, облученных электронами малых энергий
Аринушкин В.Н.1, Берман Л.С.1, Гейфман Е.М.1, Конюхов А.В.1, Ломасов В.Н.1, Мнацаканов Т.Т.1, Ременюк А.Д.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 19 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Исследовано влияние облучения электронами с энергией 600 и 900 кэВ на распределение прямого падения напряжения и переходные характеристики силовых кремниевых диодов. Показано, что использование электронов малых энергий, дающих экспоненциальное убывание радиационных дефектов в глубь диода, приводит к улучшению коэффициента формы диода. Кроме того, в высоковольтных диодах с малым временем обратного восстановления уменьшается прямое падение напряжения по сравнению с равномерным введением радиационных дефектов.
  • Wondrak W., Silber D. Physica. 1985. Bd 129(B,C). N 1--3. P. 322--326
  • Велмре Э.Э., Дерменжи П.Г., Удал А.Э. Электротехника. 1984. N 3. С. 47--51
  • Берман Л.С., Маляренко А.М., Ременюк А.Д. и др. ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 5. С. 844--848
  • Берман Л.С., Витовский Н.А., Воронков В.Б. и др. ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 4. С. 753--756
  • Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 10. С. 1816--1822
  • Lax M., Neustadter S.F. J. Appl. Phys. 1954. Vol. 25. N 6. P. 1148--1155
  • Евсеев Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных преобразовательных устройств. М.: Энергия, 1978. 192 с
  • Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.L., Philatov N.I. Sol. St. Electr. 1987. Vol. 30. N 6. P. 579--585
  • Мнацаканов Т.Т., Ростовцев И.Л., Филатов Н.И. ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 7. С. 1293--1996
  • Мнацаканов Т.Т., Ростовцев И.Л., Филатов Н.И. Электронное моделирование. 1986. Т. 8. N 1. С. 40--43
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.