"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О слое Шоттки вблизи заряженной полосы на поверхности полупроводника
Ефанов А.В.1
1Институт физики полупроводников Новосибирск
Поступила в редакцию: 20 августа 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Найдено точное решение задачи о потенциале в слое Шоттки, образованном системой полосковых электродов на границе полупроводника и диэлектрика. Решение получено в предположении об одинаковости диэлектрических проницаемостей двух сред. Для случая одиночной равномерно заряженной полосы дается аналитическое выражение, описывающее форму слоя Шоттки. Вычисление потенциала сводится к однократному интегрированию некоторой явным образом заданной функции.
  • Ефанов А.В., Энтин М.В. ФТП. 1987. Вып. 11. С. 2013--2017
  • Ефанов А.В. ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 3. С. 000
  • Ефанов А.В., Энтин М.В. ЖЭТФ. 1987. Т. 93. Вып. 4(10). С. 1299--1303
  • Лаврентьев М.А., Шабат Б.В. Методы теории функций комплексного переменного. М., 1965. 716 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.