"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Взаимодействие кремния с монокристаллическим Bi 2Sr 2CaCu 2O 8+x
Гомоюнова М.В.1, Григорьев А.К.1, Пронин И.И.1, Роднянский А.Е.1
1Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 12 октября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Методами электронной оже-спектроскопии, ионизационной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов изучены начальные стадии формирования системы Si/Bi2Sr2CaCu2O8+x (001) и ее устойчивость к электронному облучению и нагреву. Взаимодействие атомов Si с гранью (001) монокристалла 2212 начинается с разрыва связей Bi--O в верхнем слое подложки и окисления кремния. Атомы Bi диффундируют вглубь, а поверхность подложки обогащается Sr, участвующем в формировании промежуточного окисного слоя. При толщинах, превосходящих 5 Angstrem, появляется и растет фаза чистого Si. Обнаружена неустойчивость системы Si/2212 к электронному облучению, проявляющаяся в растворении пленки чистого кремния в подложке. Для объяснения эффекта предложен механизм электронно-стимулированной диффузии Si. Показана термическая устойчивость системы до температур 500 K. При более высоких температурах обнаружены стадии диффузии атомов Si из фазы чистого Si в подложку и разрушения промежуточного окисного слоя с образованием на поверхности новой структуры.
  • Hill D.M., Meyer H.M. (III), Weaver J.H., Nelson D.L. Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53. N 17. P. 1657--1659
  • Kulkarni P., Mahamuni S., Chandrachood M. et al. J. Appl. Phys. 1990. Vol. 67. N 7. P. 3438--3442
  • Hill D.M., Meyer H.M. (III), Weaver J.H. Surf. Sci. 1990. Vol. 236. P. 377--384
  • Nishimori K., Tokutaka H., Tamon T., Kishida S. Appl. Surf. Sci. 1991. Vol. 48/49. P. 450--453
  • Пронин И.И., Гомоюнова М.В., Бернацкий Д.П., Заславский С.Л. ПТЭ. 1982. N 1. С. 175--178
  • Мошкин С.В., Власов М.Ю., Кузьмина М.А. и др. СФХТ. 1991. Т. 4. N 5. С. 1017--1023
  • Агеев В.Н., Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Хоружий С.В. Поверхность. 1988. N 5. С. 57--63
  • Гомоюнова М.В., Григорьев А.К., Мошкин С.В. и др. ФТТ. 1992. Т. 34. N 12. С. 782--789
  • Коваль И.Ф., Лысенко В.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Атлас ионизационных спектров. Киев: Высшая школа, 1989
  • Grazhulis V.A., Ionov A.M. J. El. Spectr. Rel. Phen. 1990. Vol. 52. P. 375--383
  • Гомоюнова М.В., Григорьев А.К., Микушкин В.И. и др. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991. Т. 55. N 12. С. 2298--2303
  • Протопопов О.Д. Электронно-стимулированные эффекты в оже-спектроскопии. М., 1982. Вып. 9(877). 69 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.