"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных GaP/Si гетероструктур, полученных методом газофазной эпитаксии фосфида галлия
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Сергеев Д.В.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 25 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе впервые созданы две анизотипные разновидности GaP/Si гетероструктур (n-GaP/p-Si, p-GaP/n-Si). Для получения GaP слоев использовались кремниевые подложки p- и n-типа проводимости (КЭФ и КДБ-001, ориентированные в плоскости (100), с разориентацией 4 ... 6o в направлении [110]). Оба типа GaP/Si гетероструктур имеют одинаковый излом на C-2U характеристике при 1.5 В. Этот излом вероятно обусловлен регулярной неровностью слоя объемного заряда, который вызван регулярной неровностью поверхности кремниевой подложки и соответственно гетерограницы, причем при напряжениях смещения U <= 1.5 В неровность слоя объемного заряда сглажена. Возможно также, что излом обусловлен присутствием переходного слоя. У обоих видов гетероструктур механизм протекания прямого и обратного тока при комнатных температурах носит термический характер, сменяясь туннельным характером при азотных температурах. Спектры фоточувствительности у обоих видов гетероструктур аналогичны, длинноволновый край соответствует области поглощения кремния, а коротковолновое крыло определяется толщиной GaP слоя.
  • Gonda S., Matsushima Y., Mukai S. et al. Jap. J. Appl. Phys. 1978. Vol. 17. N 6. P. 1043--1048
  • Kawanami H., Sakamoto T., Takahashi T. et al. Jap. J. Appl. Phys. 1982. Vol. 21. N 2. P. L68--L70
  • Kawanami H., Ishihara S., Nagai K., Hayashi Y. Jap. J. Appl. Phys. 1986. Vol. 25. N 5. P. L419--L420
  • Pogge H.B., Kemlage B.M., Broadie R.W. J. Crystal Growth. 1977. Vol. 37. P. 13--22
  • Kohama Y., Kadota Y., Ohmachi Y. Jap. J. Appl. Phys. 1990. Vol.29. N 2. P. L229--L232
  • Kohama Y., Uchida T., Soga T. et al. Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53. N 10. P. 862--864
  • Mori H., Ogasawara M., Yamamoto M., Tachikawa M. Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. N 16. P. 1245--1247
  • Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Назаров H. и др. ФТП. 1990. T. 24. Вып. 7. С. 1303--1305
  • Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н. и др. ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 4. С. 688--694
  • Katoda T., Kishi M. J. Electron. Mater. 1980. Vol. 9. N 4. P. 783--795
  • Герасименко Н.Н., Лежейко Л.В., Любопытова Е.В. и др. ФТП. 1981. Т. 15. Вып. 6. С. 1088--1091
  • Карлина Л.Б., Леонов Е.И., Шаронова Л.В., Шмарцев Ю.В. ФТП. 1981. Т. 15. Вып. 6. С. 1202--1204
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.