Вышедшие номера
Исследование радиационно-стимулированной диффузии фосфора в кремнии
Мак В.Т.1
1Одесский университет им.И.И.Мечникова
Поступила в редакцию: 23 марта 1992 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

  1. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
  2. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. М.: Мир, 1984. 263 c
  3. Абакумов В.Н., Пахомов А.А., Яссиевич И.Н. ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 9. С. 1489--1516
  4. Lehovec K. Sol. St. Electron. 1984. Vol. 27. N 12. P. 1097--1105
  5. Мак В.Т., Розенфельд А.Б., Секрет А.А. и др. Изв. вузов. Физика. 1989. N 4. С. 112--114
  6. Козловский В.В., Ломасов В.Н., Пилькевич Я.Я., Питкевич М.В. ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 10. С. 2043--2045
  7. Казаринов Ю.Н., Козловский В.В., Ломасов В.Н., Питкевич М.В. ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 9. С. 1577--1581

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.