"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
К вопросу об эффективности образования вакансионных центров в n--Si при облучении alpha-частицами
Берман Л.С.1, Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

  • Берман Л.С., Маляренко А.М., Ременюк А.Д., Суханов В.Л., Толстобров М.Г. ФТП. 1988. Т. 22. В. 5. С. 844--848
  • Ion implantation. Science and Technology / Ed. J.F. Ziegler. Acad. Press Inc., 1984. P. 635
  • Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. ФТП. 1990. Т. 24. B. 10. C. 1816--1822
  • Абдусаттаров А.Г., Емцов В.В., Машовец Т.В. ФТП. 1989. Т. 23. В. 12, С. 2221--2223
  • Емцев В.В., Машовец Т.В., Махнович В.В. ФТП. 1992. Т. 26. В. 1. С. 22--24
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.