"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект переключения проводимости с памятью в МДП структурах с фторидом лантана
Рожков В.А.1, Романенко Н.Н.1
1Самарский государственный университет
Поступила в редакцию: 22 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

  • Старос Ф.Г., Крайзмер Л.П. Полупроводниковые интегральные запоминающие устройства. Л.: Энергия, 1972. 112 с
  • Лямичев И.Я., Литвак И.И., Ощепков А.А. Приборы на аморфных полупроводниках и их применение. М.: Сов. радио, 1976. 128 с
  • Рожков В.А., Петров А.И. Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. В. 1. С. 49--52
  • Bullock D.C., Epstein D.J. Appl. Phys. Lett. 1970. V. 17. N 5. P. 199--201
  • Рожков В.А., Шалимова М.Б. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 5. С. 74--77
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.