Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Перераспределение алюминия в GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структурах (КРС) под действием протонного облучения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.
- Sugimoto M. Jap. J. Appl. Phys. 1989. V. 28. N 6. P. 1013--1018
- Bryan R. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 2. P. 94--97
- Кузьмин И.А., Машевский А.Г., Строганов Д.Р. и др. ФТП. 1989. Т. 23. В. 8. C. 1420--1425
- Бер Б.Я., Гольберг А.Э., Копьев П.С. и др. Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 12. С. 751--754
- Козловский В.В., Ломасов В.Н. Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. N 3. C. 146--148
- Kozlovskii V.V., Lomasov V.N., Vlasenko L.S. Radiation Effects. Bristol--London. 1988. V. 106. N 1--2. P. 37--45
- Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С.Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с
- Атомная диффузия в полупроводниках. / Под ред. Д.Шоу. М.: Мир, 1975. 425 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
