О возможности исследования локального энергетического спектра тонких полупроводниковых пленок с помощью новой конструкции низкотемпературного сканирующего туннельного микроскопа
Давыдов Д.Н.1, Тимофеев В.А.1, Грохольский А.С.1, Рыков С.А.1, Немов С.А.1, Захарова И.Б.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет
Поступила в редакцию: 4 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.
- Yi Chiy, M.L. Reed, T.E. Schlesinger Appl. Phys. Lett., 1992. V. 60. N 14. P. 1715
- Голубок А.О., Давыдов Д.Н., Мусихина Е.П., Кайданов В.И., Рыков С.А. Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 2. С. 36--40
- Renner C.H., Nidermann Ph.,, Kent A.D., Fisher O. Rev. Sci. Instrum. 1990. V. 61. P. 965
- Agrait N. Rev. Sci. Instrum. 1992. V. 63. P. 263
- Pohl D.W. IBM J. Res. Develop. 1986. V. 30. N 4. P. 417
- Неустроев Л.И., Осипов В.В. ФТП. 1986. Т. 20. В. 1. С. 59--65
- Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. M.: Наука, 1968. 384 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук