Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффекты памяти в полевых транзисторных структурах на основе композитных пленок полиэпоксипропилкарбазола с наночастицами золота
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
Исследованы эффекты памяти в полевых транзисторных структурах с активным слоем на основе композитных пленок полупроводникового полимера - производного карбазола и наночастиц золота, проявляющиеся в гистерезисе переходных характеристик транзистора. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями транспорта в структуре полимер-наночастицы золота, где последние выполняют функцию среды накопления (аккумулирования) носителей заряда. Обсуждается механизм записи-стирания информации, основанный на модуляции проводимости рабочего канала полевого транзистора напряжением на затворе. Работа выполнена при поддержке Программы фундаментальных исследований Президиума РАН П-7 (направление "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники") и гранта РФФИ N 11-02-00451-а.
- T.A. Skotheim, J.R. Reynolds. Handbook of Conducting Polymers. Third Edition. CRC Press, N.Y. (2007). V. 1-2. P. 1949
- Y. Yang, J. Ouyang, L. Ma, R.J. Tseng, C.W. Chu. Adv. Func. Mater. 16, 1001 (2006)
- J. Campbell Scott, L.D. Bozano. Adv. Mater. 19, 1452 (2007)
- А.Н. Алешин, Е.Л. Александрова. ФТТ 50, 10, 1895 (2008)
- Э.А. Лебедев, Е.Л. Александрова, А.Н. Алешин. ФТТ 51, 1, 195 (2009)
- Е.Л. Александрова, Э.А. Лебедев, Н.Н. Константинова, А.Н. Алешин. ФТТ 52, 1, 393 (2010).
- W. Wu, H. Zhang, Y. Wang, S. Ye, Y. Guo, C. Di, G. Yu, D. Zhu, Y. Liu. Adv. Func. Mater. 18, 2593 (2008)
- W.L. Leong, N. Mathews, B. Tan, S. Vaidyanathan, F. Dotz, S. Mhaisalkar. J. Mater. Chem. 21, 5203 (2011)
- C. November, D. Guerin, K. Lmimouni, C. Gamrat, D. Vuillaume. Appl. Phys. Lett. 92, 103 314 (2008)
- L. Zhen, W. Guan, L. Shang, M. Liu, G. Liu. J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 135 111 (2008)
- M.F. Mabrook, Y. Yun, C. Pearson, D.A. Zeze, M.C. Petty. Appl. Phys. Lett. 94, 173 302 (2009)
- A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov. J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 315 104 (2010)
- A.N. Aleshin, E.L. Alexandrova, I.P. Shcherbakov. Eur. Phys. J.: Appl. Phys. 51, 33 202 (2010)
- J. Horowitz. Adv. Mater. 10, 365 (1998)
- C.D. Dimitrakopoulos, P.R.L. Malenfant. Adv. Mater. 14, 99 (2002)
- W.L. Leong, P.S. Lee, S.G. Mhaisalkar, T.P. Chen, A. Dodabalapur. Appl. Phys. Lett. 90, 042 906 (2007)
- S.M. Sze. Semiconductor Devices Phys. Technology. Wiley, N.Y. (1985). P. 568.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
