Рассмотрены отличия в свойствах кристаллов ТГС с закономерно-неоднородным распределением примеси ионов хрома, выращенных выше и ниже точки Кюри. Показано, что из-за взаимного влияния доменной и дефектной структур и наличия спонтанной поляризации при выращивании неоднородных кристаллов при температуре роста ниже Tc в них возникают значительные внутренние смещающие поля. Эти поля оказывают большое влияние на величины диэлектрической проницаемости, спонтанной поляризации, коэффициента униполярности, пирокоэффициента исследованных кристаллов.
Гаврилова Н.Д., Новик В.К., Сорокина Е.А., Хрусталев Л.Б. ФТТ. 1981. Т. 23. N 6. С. 1775--1777
Eisner J. Ferroelectrics. 1974. V. 8. P. 621--627
Галстян Г.Т., Рез И.С., Рейзер М.Ю. ФТТ. 1982. Т. 24. N 7. С. 2186--2190
Кудзин А.Ю., Юдин С.П., Панченко Т.В. ФТТ. 1977. Т. 19. N 4. С. 1218--1220
Александровский А.Л., Казарян Л.М., Русян П.Р. Изв. АН Армянской ССР. Физика. 1981. Т. 16. С. 380--384
Михневич В.В., Кашевич И.Ф. ФТТ. 1992. Т. 34. N 1. С. 24--29
Гаврилова Н.Д., Дербенева Т.А., Колдобская М.Ф., Новик В.К., Рез И.С., Сорокина Е.А., Цейтлин П.А. Кристаллография. 1981. Т. 26. N 2. С. 413--414
Rydyak V.M., Bogomolov A.A. Ferroelectircs. 1981. V. 33. N 1. P. 25--30
Михневич В.В., Кашевич И.Ф., Минаков Д.Н. Сб. "Научно-технические достижения". ВИМИ, 1991. N 1. С. 43--46
Михневич В.В., Кашевич И.Ф., Цыбин И.А., Шут В.Н. А.с. СССР. N 1813816 A1
Леванюк А.П., Сигов А.С., Собянин А.А. Сегнетоэлектрические фазовые переходы в реальном кристалле. Ростов-на-Дону: Изд-во РГУ, 1983. 163 с
Саввинов А.М., Гаврилова Н.Д., Новик В.К. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1970. Т. 34. N 12. С. 2601--2603
Мелешина В.А., Рез И.С. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1964. Т. 28. N 4. С. 735--740
Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства ТГС. Минск, 1986. 215 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.