Издателям
Вышедшие номера
Получение пленок фуллеренов на полупроводниковых подложках GaAs
Куницын А.Е.1, Козырев С.В.1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1, Чалдышев В.В.1, Шаронова Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

Разработаны две технологические методики, позволяющие получать пленки фуллеренов на GaAs подложках из неочищенной фуллеренсодержащей сажи, т.е. совмещать процесс выделения фуллеренов из сажи с выращиванием пленки. Проведенные исследования полученных пленок показали, что наилучшие результаты получаются при выращивании на холодных подложках путем переноса испаренного материала в градиенте температур.
  • Sakurai M., Tada H., Saiki K., Koma A. Jap. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. P. L1892
  • Palstra T.T.M., Haddon R.C., Hebard A.F., Zaanen J. Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 1054
  • Haufler R.E., Chai Y., Chibante L.P.F., Fraelich M.R., Weisman R.B., Curl R.F., Smalley R.E. J. Chem. Phys. 1990. V. 94. P. 8634
  • Pichler K., Graham S., Gelsen O.M. J. Phys.: Condens. Matter. 1990. V. 3. P. 9259
  • Zhu Q., Zhou C., Covstel N., Vaughan G.B.M. Science. 1991. V. 254. P. 545
  • Watanabe I., Inoue M. Jpn. J. Appl. Phys. 1983. V. 22. P. L176
  • Reber G., Yee L., McKiernan J., Zink J.I., Williams R.S., Tong W.M., Ohlberg D.A.A., Whetten R.L., Diederich F.N. J. Phys. Chem. 1991. V. 95. P. 2127
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.