Обнаружено влияние ультразвука допороговой мощности на характеристики дислокационной люминесценции эпитаксиальных гетероструктур n-GexSi1-x--n-Si. Показано, что ультразвуковая обработка (УЗО) приводит к изменению интенсивности D1 и D2 линий свечения, а также к уменьшению величины их линейной поляризации. Для объяснения обнаруженного эффекта предлагаются два механизма ультразвуковой обработки: а) стимулированное ультразвуковое геттерирование точечных дефектов дислокацией, б) переориентация расположенных в придислокационной области примесей и дефектов для уменьшения имеющейся в этой области деформации решетки.
Здебский А.П., Лукьянчикова Н.Б., Лисянский М.И., Шейнкман М.К. Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. С. 1009--1012
Здебский А.П., Корчная В.Л., Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. N 2. С. 76--81
Громашевский В.Л., Дякин В.В., Сальков Е.А., Скляров С.М., Халимова Н.С. УФЖ. 1984. Т. 29. N 4. С. 550--554
Грабчак В.П., Кулин А.В. Акуст. журн. 1976. Т. 22. N 6. С. 838--844
Buyanova I.A., Ostapenko S.S., Savchuk A.U., Sheinkman M.K. Proc. 17th Int. Conf. on Def. in Semicond., Gmunden, Austria, 1993
Belyaev A.E., Oborina E.I., Ryabchenko Yu.S., Savchuk A.U., Sheinkman M.K., Bardeleben H.J., Fille M.F. Proc. 17th Int. Conf. on Def. in Semicond., Gmunden, Austria, 1993
Островский И.В. Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 34. N 8. С. 463--466
Бритун В.Ф., Горидько Н.Я., Корчная В.Л., Семенова Г.Н., Скороход М.Я., Тхорик Ю.А., Хазан Л.С., Шейнкман М.К. ФТТ. 1991. Т. 33. N 8. С. 2340--2344
Бабенцов Б.Н., Горбань С.И., Городецкий И.Я., Корсунская Н.У., Раренко И.М., Шейнкман М.К. ФТП. 1991. Т. 25. N 7. С. 1243--1245
Здебский А.П., Миронюк Н.В., Остапенко С.С., Савчук А.У., Шейнкман М.К. ФТП. 1986. Т. 20. N 10. С. 1861--1867
Здебский А.П., Шейнкман М.К., Аннаниязов А., Гарягдыев Г. ФТТ. 1987. Т. 29. N 4. С. 1135--1140
Здебский А.П., Кропман Д.И., Шейнкман М.К. ЖТФ. 1989. Т. 59. N 8. С. 131--134
Гранато А., Люкке К. Физическая акустика. Т. IV. Ч. A / Под ред. У.Мэзона. М., 1969
Alexander H., Kisielowski--Kimmerich C., Weber E.R. Physica B. 1983. V. 116. P. 583--593
Lightowlers E.C., Higgs V. Phys. Stat. Sol. (a). 1993. V. 138. N 2. P. 665--672
Lelikov Yu.S., Rebane Yu.T., Rumikov S., Sitnikova A.A., Tarhin D.V., Shreter Yu.G. Phys. Stat. Sol. (b). 1992. V. 172. N 1. P. 53--59
Weronek K., Weber J., Hopner A., Ernst F., Buchnek R., Stefaniak M., Alexander H. Mat. Sci. Forum. 1992. V. 83--87. P. 1315--1320
Ostapenko S.S. (to be published)
Буянов А.В., Лютович К.Л., Пека Г.П., Ткаченко В.В. ФТП. 1991. Т. 25. N 10. С. 1711--1717
Michel J., Fitzgerald E.A., Xie Y.-H., Silverman P.J., Morse M., Kimerling L.C. J. Elec. Mat. 1992. V. 21. N 12. P. 1099--1103
Higgs V., Lightowlers E., Davies G., Schaffler F., Kasper E. Semicon. Sci. Technol. 1989. V. 4. N 2. P. 593--601
Александров Л.Н., Зотов М.И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979. 159 с
Kusters K.H., Alexander H. Physica B. 1982. V. 116. N 2. P. 594--599
Suezawa M., Sasoki Y., Nishina K., Sumino K. Jap. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. N 7. P. L537--L540
Suezawa M., Sumino K., Nishina K. Jap. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. N 8. P. L518--L520
Изотов А.И., Штейнман Э.А. ФТТ. 1986. Т. 28. N 4. С. 1015--1019
Colbourne P.D., Cassidy D.T. Can. J. Phys. 1992. V. 70. N 10--11. P. 803--812
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук