Издателям
Вышедшие номера
Влияние ультразвуковых колебаний допороговой мощности на дислокационную люминесценцию эпитаксиальных слоев SiGe
Буянова И.А.1, Савчук А.У.1, Шейнкман М.К.1, Буянов А.В.1
1Институт физики полупроводников АН Украины Киев
Поступила в редакцию: 25 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Обнаружено влияние ультразвука допороговой мощности на характеристики дислокационной люминесценции эпитаксиальных гетероструктур n-GexSi1-x--n-Si. Показано, что ультразвуковая обработка (УЗО) приводит к изменению интенсивности D1 и D2 линий свечения, а также к уменьшению величины их линейной поляризации. Для объяснения обнаруженного эффекта предлагаются два механизма ультразвуковой обработки: а) стимулированное ультразвуковое геттерирование точечных дефектов дислокацией, б) переориентация расположенных в придислокационной области примесей и дефектов для уменьшения имеющейся в этой области деформации решетки.
  • Здебский А.П., Лукьянчикова Н.Б., Лисянский М.И., Шейнкман М.К. Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. С. 1009--1012
  • Здебский А.П., Корчная В.Л., Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. N 2. С. 76--81
  • Громашевский В.Л., Дякин В.В., Сальков Е.А., Скляров С.М., Халимова Н.С. УФЖ. 1984. Т. 29. N 4. С. 550--554
  • Грабчак В.П., Кулин А.В. Акуст. журн. 1976. Т. 22. N 6. С. 838--844
  • Buyanova I.A., Ostapenko S.S., Savchuk A.U., Sheinkman M.K. Proc. 17th Int. Conf. on Def. in Semicond., Gmunden, Austria, 1993
  • Belyaev A.E., Oborina E.I., Ryabchenko Yu.S., Savchuk A.U., Sheinkman M.K., Bardeleben H.J., Fille M.F. Proc. 17th Int. Conf. on Def. in Semicond., Gmunden, Austria, 1993
  • Островский И.В. Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 34. N 8. С. 463--466
  • Бритун В.Ф., Горидько Н.Я., Корчная В.Л., Семенова Г.Н., Скороход М.Я., Тхорик Ю.А., Хазан Л.С., Шейнкман М.К. ФТТ. 1991. Т. 33. N 8. С. 2340--2344
  • Бабенцов Б.Н., Горбань С.И., Городецкий И.Я., Корсунская Н.У., Раренко И.М., Шейнкман М.К. ФТП. 1991. Т. 25. N 7. С. 1243--1245
  • Здебский А.П., Миронюк Н.В., Остапенко С.С., Савчук А.У., Шейнкман М.К. ФТП. 1986. Т. 20. N 10. С. 1861--1867
  • Здебский А.П., Шейнкман М.К., Аннаниязов А., Гарягдыев Г. ФТТ. 1987. Т. 29. N 4. С. 1135--1140
  • Здебский А.П., Кропман Д.И., Шейнкман М.К. ЖТФ. 1989. Т. 59. N 8. С. 131--134
  • Гранато А., Люкке К. Физическая акустика. Т. IV. Ч. A / Под ред. У.Мэзона. М., 1969
  • Alexander H., Kisielowski--Kimmerich C., Weber E.R. Physica B. 1983. V. 116. P. 583--593
  • Lightowlers E.C., Higgs V. Phys. Stat. Sol. (a). 1993. V. 138. N 2. P. 665--672
  • Lelikov Yu.S., Rebane Yu.T., Rumikov S., Sitnikova A.A., Tarhin D.V., Shreter Yu.G. Phys. Stat. Sol. (b). 1992. V. 172. N 1. P. 53--59
  • Weronek K., Weber J., Hopner A., Ernst F., Buchnek R., Stefaniak M., Alexander H. Mat. Sci. Forum. 1992. V. 83--87. P. 1315--1320
  • Ostapenko S.S. (to be published)
  • Буянов А.В., Лютович К.Л., Пека Г.П., Ткаченко В.В. ФТП. 1991. Т. 25. N 10. С. 1711--1717
  • Michel J., Fitzgerald E.A., Xie Y.-H., Silverman P.J., Morse M., Kimerling L.C. J. Elec. Mat. 1992. V. 21. N 12. P. 1099--1103
  • Higgs V., Lightowlers E., Davies G., Schaffler F., Kasper E. Semicon. Sci. Technol. 1989. V. 4. N 2. P. 593--601
  • Александров Л.Н., Зотов М.И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979. 159 с
  • Kusters K.H., Alexander H. Physica B. 1982. V. 116. N 2. P. 594--599
  • Suezawa M., Sasoki Y., Nishina K., Sumino K. Jap. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. N 7. P. L537--L540
  • Suezawa M., Sumino K., Nishina K. Jap. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. N 8. P. L518--L520
  • Изотов А.И., Штейнман Э.А. ФТТ. 1986. Т. 28. N 4. С. 1015--1019
  • Colbourne P.D., Cassidy D.T. Can. J. Phys. 1992. V. 70. N 10--11. P. 803--812
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.