Предложена новая модель поведения d-примесей в кремнии. Показано, что на основе идеи самокомпенсации удается дать трактовку парадоксальным экспериментам как по электронной структуре, так и по физико-химическим свойствам этих примесей в Si.
Deep centers in Semiconductors / Ed. S. Pantelides. N.Y.: Acad. Press., 1986. P. 1--86
Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями / Под ред. В.И. Фистуля М., 1987. 232 с
Юнусов М.С. Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы. Ташкент: Фан, 1983. 78 с
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с
Юнусов М.С. и др. Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках. Ташкент: Фан, 1986. 176 с
Людвиг Дж., Вудбери Г. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 148 с
Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992. 240 с
Zinger A., Lindefelt U. Physica B. 1983. V. 117--118. P. 185--187
Бацанов С.С., Звягина Р.А. Интегралы перекрывания и проблема эффективных зарядов. Новосибирск: Наука, 1966. 386 с
Левин А.А. Введение в квантовую химию твердого тела. М.: Химия, 1974. 237 с
Kimerling L. et al. Defects and Radiation Eff. in Semicond: Inst. Phys. Conf. Ser. 1980. N 59. Ch. 4. P. 217--222
Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры твердого тела. М.: Мир, 1969. 360 с
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наук. думка, 1969. 187 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук